时间：2025/4/28 16:00:17
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6TPG100M是一种基于硅技术的高压功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压、大电流的应用场景设计，广泛用于开关电源、逆变器、电机驱动和DC-DC转换器等工业电子设备。6TPG100M具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性，使其在高效能功率转换应用中表现出色。
该芯片采用TO-247封装形式，确保了良好的散热性能和电气连接可靠性。其典型应用包括硬开关拓扑结构（如升压、降压变换器）和软开关电路。
最大漏源电压：1000V
连续漏极电流：6A
导通电阻：5.5Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：38nC（最大值）
反向恢复时间：90ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
6TPG100M的主要特点如下：
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达1000V，适用于高压环境下的各种电力电子系统。
2. 低导通电阻：导通电阻仅为5.5Ω（典型值），有助于降低传导损耗并提升整体效率。
3. 快速开关性能：栅极电荷小，反向恢复时间短，从而减少开关损耗。
4. 热稳定性强：能够承受高温环境，最高结温可达175℃，保证在恶劣条件下稳定运行。
5. 可靠性高：采用先进的制造工艺，具备优异的电气特性和机械强度。
6. 散热性能优越：TO-247封装提供卓越的散热路径，支持高功率密度设计。
6TPG100M适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：在隔离和非隔离拓扑中作为主开关元件。
2. 工业逆变器：用于三相逆变桥以驱动感应电机。
3. 电机控制：实现高效的无刷直流电机或步进电机驱动。
4. DC-DC转换器：应用于升降压变换器和其他功率转换模块。
5. 光伏逆变器：在太阳能发电系统中负责直流到交流的转换。
6. 电磁阀驱动：为工业自动化设备中的电磁阀提供精确控制。
6TPG120MA, IRFP460, STGW10H12MD
