时间：2025/4/29 14:01:47
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6TPE100MPB 是一款高压、低导通电阻的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-220F 封装。该器件主要用于高功率应用场合，例如开关电源、电机驱动和 DC/DC 转换器等。其设计优化了漏源导通电阻 Rds(on) 和栅极电荷 Qg 的平衡，从而提高了效率并降低了开关损耗。
6TPE100MPB 具有较高的雪崩击穿能力和热稳定性，能够承受瞬态电压尖峰，非常适合于需要高可靠性的工业和汽车应用。
最大漏源电压：100V
最大连续漏电流：6A
最大脉冲漏电流：36A
漏源导通电阻：5.4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅源开启电压：2.1V 至 4V
总栅极电荷：29nC
输入电容：1170pF
反向恢复时间：85ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
6TPE100MPB 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可减少传导损耗并提高系统效率。
2. 较低的栅极电荷 Qg，有助于降低开关损耗。
3. 高速开关能力，适合高频应用。
4. 强大的雪崩击穿能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
6. 热性能优越，能够在高温环境下稳定工作。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流管。
2. DC/DC 转换器的功率级开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 各种工业自动化设备中的负载开关。
5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
6. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统和电机控制器。
IRFZ44N, FDP55N10E, STP60NF10L
