时间：2025/6/6 8:40:33
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6TPE100MAZB 是一款基于 SiC（碳化硅）技术的功率 MOSFET 芯片，专为高效率和高频率应用而设计。该芯片具有较低的导通电阻和快速开关特性，使其非常适合于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及电机驱动等应用领域。
6TPE100MAZB 的主要特点是其卓越的热性能和耐用性，能够在高温环境下保持稳定运行。此外，由于采用了先进的封装工艺，这款芯片能够提供更高的电流密度和更低的寄生电感。
额定电压：1200V
额定电流：100A
导通电阻：4.5mΩ
最大工作温度：175°C
栅极阈值电压：3V~6V
总功耗：300W
开关速度：非常快
封装形式：TO-247-3
6TPE100MAZB 的核心特性包括以下几点：
1. 高效开关性能：得益于碳化硅材料的优异性能，该器件能够在高频条件下保持低损耗，从而提高整体系统的效率。
2. 低导通电阻：仅为 4.5mΩ 的导通电阻显著降低了传导损耗，特别是在大电流应用中优势明显。
3. 高温适应能力：支持高达 175°C 的结温操作，确保在极端环境下的可靠性。
4. 快速恢复时间：短的开关时间减少了动态损耗，进一步提升了能效表现。
5. 稳定性强：具备良好的抗电磁干扰能力和耐浪涌冲击特性，适用于复杂的电气环境。
该芯片广泛应用于需要高效功率转换的场景，例如：工业级 DC-DC 转换器、不间断电源 (UPS) 系统、光伏并网逆变器、电动车车载充电机 (OBC) 和充电桩模块、高压电机控制器以及其他高功率密度系统。同时，它也适合用于对体积和重量敏感的应用场合，因为其高效的性能可以减少散热器的需求。
6TPE120MAZB, 6TPE80MAZB
