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6SD312EI 发布时间 时间:2025/8/7 13:00:09 查看 阅读:23

6SD312EI是一款由东芝(Toshiba)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业电机驱动、逆变器和电源系统中。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,提供高效的功率开关能力。6SD312EI采用了先进的封装技术,确保了良好的热管理和电气绝缘性能,适用于高可靠性和高功率密度的场合。

参数

集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):75A
  短路耐受电流:150A(10μs)
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装类型:双列直插式封装(DIP)
  短路保护能力:具备短路保护功能
  隔离电压:2500Vrms(1分钟)

特性

6SD312EI模块采用了东芝先进的IGBT4芯片技术,具有低导通压降和低开关损耗的特性,能够显著提高系统的能效。该模块内部集成了三个IGBT单元和对应的反并联二极管,构成一个完整的三相桥式结构,适用于三相逆变器应用。模块的封装设计采用了优化的绝缘材料和结构,确保了良好的电气隔离和散热性能。此外,6SD312EI还具备优异的短路保护能力,能够在异常工况下有效保护器件免受损坏,提高系统的可靠性。
  在热管理方面,该模块采用了高效的散热路径设计,确保在高负载条件下仍能保持稳定的温度运行。其焊接工艺和材料选择也经过严格测试,以确保长期使用的稳定性和耐久性。6SD312EI适用于多种工业环境,包括电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电焊设备等应用。

应用

6SD312EI模块主要应用于工业电机驱动系统,如变频器和伺服驱动器,作为核心的功率开关元件,实现高效的能量转换和控制。此外,它也广泛用于不间断电源(UPS)系统、太阳能逆变器、电焊设备和感应加热装置等需要高功率密度和高可靠性的场合。该模块的高集成度和优异的热管理性能,使其成为现代工业自动化和新能源应用中的理想选择。

替代型号

SKM75GB12T4

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6SD312EI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SCALE?-1
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型-
  • 驱动器数6
  • 栅极类型IGBT
  • 电压 - 供电0V ~ 16V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)-
  • 输入类型-
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)-
  • 上升/下降时间(典型值)160ns,130ns
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块