6RI30T-080 时间：2025/8/9 9:51:19 阅读：25

6RI30T-080 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，适用于高功率和高频率应用。该模块集成了多个 IGBT 芯片和反向并联的二极管，以实现高效能的功率转换和控制。它通常用于工业电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）以及可再生能源系统如太阳能逆变器等。

参数

类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：800V
　　额定集电极电流（IC）：30A（在Tc=80°C）
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）
　　短路耐受能力：有
　　热阻（RthJC）：约0.45°C/W
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

特性

6RI30T-080 模块具有优异的热管理和电气性能，能够承受较高的工作温度和电压应力。其设计优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，从而提高了整体能效。此外，该模块具备良好的短路保护能力，可在异常条件下提供更高的可靠性。采用先进的封装技术，确保了模块在恶劣环境下的稳定性和耐用性。
　　在电气特性方面，6RI30T-080 提供了较低的饱和压降（VCE_sat），有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。同时，其内置的快速恢复二极管能够有效减少反向恢复损耗，提高开关性能。模块的封装设计还考虑了散热需求，确保热量能够有效地从芯片传导到散热器，从而延长模块的使用寿命。
　　此外，该模块在设计上采用了高绝缘等级的封装材料，确保了在高电压应用中的安全性和可靠性。其封装结构紧凑，便于安装和散热，适用于各种高功率密度的设计需求。