时间：2025/8/8 18:56:01
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6R6MB8L-120BHX是一款由Micron Technology制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，专为高性能计算和存储应用设计。这款芯片采用先进的DRAM技术，提供了高存储容量和快速的数据访问速度，适用于服务器、网络设备、工业控制系统以及高端消费电子产品。
容量：256Mbit
组织结构：16M x 16
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP（Thin Small-Outline Package）
引脚数：54
工作温度范围：-40°C至+85°C
接口类型：异步
最大工作频率：166MHz
6R6MB8L-120BHX具备低功耗设计，适用于需要长时间运行的系统，如服务器和工业控制设备。该芯片采用异步接口，提供灵活的控制选项，支持多种操作模式，包括自动省电模式和待机模式，有助于降低整体功耗。此外，该芯片的TSOP封装形式确保了良好的散热性能和机械稳定性，适合在各种环境条件下运行。
这款DRAM芯片的访问时间为5.4ns，意味着它能够在高速环境下提供快速的数据读写能力，满足对性能要求较高的应用需求。其宽电压范围（2.3V至3.6V）使其兼容多种电源供应系统，并增强了在不同工作条件下的稳定性。
为了确保数据的完整性和可靠性，6R6MB8L-120BHX还内置了刷新电路，自动管理内存单元的数据保持过程，减少外部控制器的负担。其高耐久性和稳定性使其成为工业和商业应用的理想选择。
该芯片广泛应用于需要高速存储访问的设备，例如网络交换机、路由器、服务器内存模块、图形加速卡、嵌入式系统以及需要大容量缓存的通信设备。由于其可靠性和高性能，它也常用于工业自动化控制系统和测试测量仪器中。
IS61LV25616-12B4B，CY62148EV30LL-45BIV，A61256B-12B4B，EM685165TS-6G
