型号：6NM95
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：16 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：64 A
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 10 V：约 0.022 Ω (22 mΩ)
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V：约 0.027 Ω (27 mΩ)
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值 2.1 V，范围 1.5 ~ 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：约 1350 pF @ VDS=30V
　　输出电容（Coss）：约 470 pF
　　反向恢复时间（trr）：约 25 ns
　　功耗（PD）：2.5 W（带散热焊盘可更高）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8

6NM95 N沟道MOSFET采用了安森美的高性能TrenchFET技术，这种技术通过优化沟道结构和降低寄生电阻，显著提升了器件的导电能力和开关效率。其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为22mΩ，在VGS=4.5V时也仅为27mΩ，这使得器件在大电流应用中能够有效减少功率损耗和发热，从而提高整体系统的能效。这对于电池供电设备尤为重要，因为更低的导通损耗意味着更长的续航时间和更高的能量利用率。
　　该器件具备出色的开关性能，输入电容（Ciss）约为1350pF，输出电容（Coss）约为470pF，这些较低的电容值有助于减少栅极驱动所需的能量，并加快开关速度，适用于高频开关电源设计，如同步整流DC-DC变换器。同时，其反向恢复时间（trr）约为25ns，表明体二极管的恢复特性良好，能够在桥式电路或感性负载切换时减少反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升系统可靠性。
　　6NM95采用PowerPAK SO-8封装，这是一种无引脚的小型表面贴装封装，具有优异的热传导性能。封装底部设有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，有效降低结温上升，从而允许器件在较高环境温度下持续工作。该封装还减少了引线电感，有助于抑制开关过程中的电压振荡，进一步改善高频性能。
　　该MOSFET的栅极耐压可达±20V，具备一定的过压容忍能力，配合合理的驱动电路设计可避免因栅极击穿导致的失效。其阈值电压范围为1.5V~2.5V，典型值为2.1V，支持逻辑电平驱动，兼容3.3V或5V微控制器直接控制，简化了驱动电路设计。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于工业级甚至部分汽车级应用场景。综合来看，6NM95是一款兼具高性能、高可靠性和紧凑尺寸的理想功率开关器件。

6NM95广泛应用于各类中低电压功率开关场合，尤其适合需要高效率和小尺寸设计的电源系统。常见应用包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，在这类电路中，6NM95作为低边或高边开关使用，利用其低RDS(on)特性减少导通损耗，提高转换效率。在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件可用于电池充放电管理电路或负载开关控制，实现快速响应和低静态功耗。
　　在电机驱动领域，6NM95可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为四个桥臂中的开关元件之一，其快速开关能力和良好的热性能确保电机运行平稳且发热可控。此外，它也可用于LED驱动电源中，特别是在恒流调节拓扑中作为主开关管，帮助实现精确的亮度控制和高光效。
　　工业控制系统中，6NM95常被用作固态继电器替代方案，用于控制继电器、电磁阀或加热元件的通断，避免机械触点磨损，延长系统寿命。在热插拔电路和电源排序应用中，该MOSFET可作为理想的理想二极管或限流开关，防止浪涌电流损坏后级电路。
　　由于其符合RoHS标准并支持无铅回流焊工艺，6NM95也适用于消费类电子产品的大规模自动化生产。其小型化封装使其特别适合空间受限的应用场景，如智能手机、可穿戴设备和其他高密度集成模块。总体而言，6NM95凭借其优良的电气特性和封装优势，在现代电子系统中扮演着关键的功率控制角色。

FQP6N95, FDD6680A, SI4406ADY-T1-GE3, NTD66L06R2