型号：6N90Z
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　漏极电流（Id）：6A（25°C）
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.8Ω（最大2.2Ω）@ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约520pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：约130pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管快速恢复特性
　　功耗（Pd）：约125W（带散热片）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

6N90Z的核心优势在于其高电压耐受能力和高效的开关性能。该器件采用了优化的平面栅极工艺，使得在900V的高漏源电压下仍能保持较低的导通电阻，从而有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统的整体能效。其典型的Rds(on)为1.8Ω，在6A的连续漏极电流条件下，产生的导通压降较小，减少了发热问题，有利于简化热设计。此外，6N90Z具备良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠运行，适用于各种严苛的工作环境。
　　该MOSFET具有较快的开关速度，得益于其较低的输入和输出电容，能够在高频开关应用中减少开关延迟和能量损耗。这对于现代高频率工作的开关电源尤为重要，例如在几十kHz到上百kHz的PWM控制电路中，能够显著提升电源的响应速度和转换效率。同时，器件内部集成的体二极管虽然不具备超快恢复特性，但在反激变换器中可有效处理漏感能量的回馈过程，避免电压尖峰对器件造成损害。
　　6N90Z还具备较强的抗雪崩能力，意味着在突发过压或感性负载切换时，器件能够承受一定的能量冲击而不发生永久性损坏，提高了系统的鲁棒性和可靠性。这一特性使其特别适合用于存在较大瞬态电压波动的应用场合。此外，TO-220封装不仅提供了良好的电气隔离性能，还具备较强的机械固定性和散热能力，可通过外接散热片进一步提升功率处理能力。总体而言，6N90Z是一款兼顾高耐压、低损耗与高可靠性的中功率MOSFET，适用于多种工业和消费类电源系统。

6N90Z常用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在需要900V耐压等级的应用场景下表现优异。其典型应用包括反激式开关电源（Flyback Converter），广泛用于电视机、显示器、充电器、适配器等消费类电子产品的AC-DC转换电路中。在这些应用中，6N90Z作为主开关管承担高频通断任务，将整流后的高压直流电转换为高频脉冲，再通过变压器实现电压变换与隔离。
　　此外，它也适用于正激式转换器（Forward Converter）和CCM PFC（连续导通模式功率因数校正）电路中，作为功率开关元件参与能量传输与调节。在LED恒流驱动电源中，6N90Z可用于构建隔离式或非隔离式的降压/升压拓扑结构，提供稳定的高压侧开关功能，确保LED光源的高效、长寿命运行。
　　在工业控制领域，该器件可用于小型逆变器、UPS不间断电源、电机驱动模块以及电磁炉等家电产品中的功率控制单元。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，即使在长时间满载运行条件下也能保持稳定性能。同时，6N90Z还可用于高压直流继电器驱动、电焊机电源模块以及其他需要高电压、中等电流开关能力的电力电子装置中，展现出广泛的适用性与工程价值。

KSE6N90Z
　　FQPF6N90
　　STP6NK90ZFP
　　2SK3562
　　2SC4487