6N90 时间：2025/12/29 14:16:09 阅读：15

6N90是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源转换、开关电路以及功率放大器等领域。其主要特点是高耐压、低导通电阻和高效率，适用于需要高稳定性和高性能的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：9A
　　最大漏源电压：900V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.85Ω
　　最大功耗：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

6N90具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：漏源电压最大可达900V，使其适用于高压环境，例如开关电源或高压电机控制电路。
　　2. 低导通电阻：典型导通电阻为0.85Ω，减少了导通损耗，提高了整体效率。
　　3. 高可靠性：采用高质量硅材料和先进制造工艺，保证了器件在高负载条件下的稳定运行。
　　4. 高功率处理能力：最大功耗为50W，支持在中高功率应用中长期稳定工作。
　　5. 封装设计：TO-220封装便于安装和散热，适用于通用电子设备的制造和维修。
　　6. 适合开关应用：由于其快速开关特性，6N90非常适合用于DC-DC转换器、逆变器和马达驱动电路等。

应用

6N90常用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关元件，用于AC-DC或DC-DC转换器的设计。
　　2. 逆变器：在UPS（不间断电源）和太阳能逆变器中作为功率开关使用。
　　3. 马达控制：用于直流电机或步进电机的驱动电路。
　　4. 功率放大器：在音频或射频功率放大器中作为输出级的开关器件。
　　5. 工业自动化：用于工业控制设备中的高电压和高电流切换应用。
　　6. LED驱动：用于高功率LED照明系统的恒流驱动方案。