时间：2025/12/27 8:45:21
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6N80-FC是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220F封装形式。该器件专为高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种中等功率应用而设计。其额定电压为800V，能够承受较高的漏源电压，在离线式开关电源设计中表现出良好的稳定性和可靠性。6N80-FC具备较低的导通电阻和优化的栅极电荷特性，有助于降低导通损耗与开关损耗，从而提升整体系统效率。该器件广泛应用于适配器、充电器、照明电源及工业控制设备中。
TO-220F封装具有良好的散热性能和电气绝缘能力，适合穿心安装于散热片上，适用于对安全隔离有要求的应用场景。6N80-FC内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和过压保护特性，能够在瞬态条件下保持稳定工作，提高了系统的鲁棒性。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：800V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：6A（@25°C）
脉冲漏极电流（Idm）：24A
功耗（Pd）：125W
导通电阻（Rds(on)）：典型值2.0Ω，最大值2.2Ω（@Vgs=10V）
阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
栅极电荷（Qg）：典型值50nC
输入电容（Ciss）：典型值1100pF
输出电容（Coss）：典型值60pF
反向恢复时间（trr）：典型值75ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220F
6N80-FC具备优异的高压耐受能力与稳定的电气性能，其800V的漏源击穿电压使其非常适合用于全球通用输入电压范围（85VAC ~ 265VAC）下的离线式开关电源设计。在实际应用中，该器件能在高电压条件下维持低漏电流，有效防止因电压波动导致的误动作或损坏。其较低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其在持续负载运行时能有效减少发热，提高电源转换效率。同时，该MOSFET的栅极电荷（Qg）控制得当，使得驱动电路所需提供的驱动能量较小，有利于简化驱动设计并降低驱动芯片的成本。
该器件的开关特性经过优化，具有较快的开关速度和较短的反向恢复时间，这有助于减少开关过程中的交越损耗，进一步提升高频工作的效率。其内部结构采用平面场效应技术，增强了器件的均匀性和可靠性，避免局部热点引发的热失控问题。此外，6N80-FC具备良好的热稳定性，结温可达150°C，可在高温环境下长期稳定运行。TO-220F封装不仅提供良好的机械强度，还通过底部绝缘设计实现电气隔离，满足安规要求，特别适用于需要加强绝缘的电源产品。
在抗干扰和耐用性方面，6N80-FC表现出较强的抗雪崩能力，能够承受一定的过压冲击而不发生永久性损坏。这种坚固性使其在雷击、电网浪涌等异常工况下仍能保持系统完整性。同时，该器件对静电放电（ESD）也有一定防护能力，但在使用过程中仍建议采取适当的防静电措施以确保可靠性。整体而言，6N80-FC是一款性价比高、性能稳定的高压MOSFET，广泛应用于消费类电子、工业电源和照明驱动等领域。
6N80-FC主要应用于各类中高功率开关电源系统，包括但不限于手机充电器、笔记本电脑适配器、LED驱动电源、电视及显示器背光电源模块。由于其高耐压特性和良好的效率表现，常被用作反激式（Flyback）拓扑结构中的主开关管，适用于宽电压输入环境下的AC-DC转换场景。此外，该器件也适用于DC-DC升压或降压变换器、小型逆变电源、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率切换单元。在家电领域，如电磁炉、空气净化器、微波炉控制板等产品中也可见到其应用身影。得益于其TO-220F封装的绝缘特性，6N80-FC特别适合用于需要初级侧与次级侧电气隔离的安全规范产品中，例如医疗辅助设备电源或户外照明系统。
KSE680, KSC2690, FQP8N80, STP8NK80ZFP, IRFBC30
