6N65L-TN3-R 时间：2025/12/27 7:34:26 阅读：12

6N65L-TN3-R是一款由onsemi（安森美）生产的高压MOSFET晶体管，属于超级结MOSFET系列中的650V产品。该器件采用先进的高压工艺技术制造，具备优异的开关性能和导通特性，适用于高效率、高频开关电源应用。6N65L-TN3-R封装形式为TO-220-3（通孔型），具有良好的热稳定性和机械可靠性，适合在工业级温度范围内稳定运行。该MOSFET设计用于降低开关损耗和传导损耗，从而提高整体系统能效。其栅极阈值电压适中，便于驱动电路设计，并具备良好的抗雪崩能力，增强了在恶劣工作环境下的鲁棒性。作为一款N沟道增强型功率MOSFET，6N65L-TN3-R广泛应用于AC-DC转换器、离线式开关电源、LED照明驱动电源以及太阳能逆变器等电力电子领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：6.5A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：26A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　功耗（Pd）：125W（Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（max，Vgs=10V，Id=3.25A）
　　栅极电荷（Qg）：47nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（典型值，Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：快恢复体二极管
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-220-3

特性

6N65L-TN3-R采用了安森美的超级结（Super Junction）技术，这项技术通过在漂移区构建交替的P型和N型柱结构，显著降低了器件的导通电阻与寄生电容之间的折衷关系，从而实现了在650V高耐压下仍保持较低的Rds(on)。这种结构不仅提升了功率密度，还大幅减少了导通损耗，使器件在高频开关应用中表现出更高的能效。此外，由于其优化的电荷平衡设计，该MOSFET在轻载和满载条件下均能维持较高的转换效率，特别适合用于待机功耗要求严格的绿色能源产品。
　　该器件具备出色的动态性能，其栅极电荷Qg较低，有助于减少驱动损耗并加快开关速度，同时降低开关过程中的能量损耗。输入电容Ciss和输出电容Coss经过精心设计，在保证足够驱动能力的同时抑制了不必要的振荡风险。集成的体二极管具有较快的反向恢复时间trr，能够有效减少反向恢复电荷Qrr，避免在硬开关拓扑中产生严重的电压尖峰和电磁干扰问题，提高了系统的可靠性和EMI兼容性。
　　6N65L-TN3-R还具备优良的热性能和长期稳定性。TO-220封装提供了较大的散热面积，配合合适的散热器可实现高效热管理。器件符合RoHS环保标准，并通过了多项工业级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和高湿度高偏压（H3TRB）等，确保在严苛环境下长期稳定运行。其±30V的宽栅源电压范围也增强了对异常工况的容忍度，防止因过压导致的栅氧层击穿。

应用

6N65L-TN3-R广泛应用于各类需要高电压、高效率开关操作的电力电子系统中。常见用途包括通用离线式开关模式电源（SMPS），尤其是在200W以下的适配器、充电器和工业电源模块中表现优异。由于其650V的额定电压恰好匹配全球交流电网经整流后的峰值电压，因此非常适合用于单端反激（Flyback）、正激（Forward）和LLC谐振转换器等拓扑结构。
　　在LED照明领域，该器件常被用作主开关管，驱动高亮度LED灯串，尤其适用于商业和户外照明系统，能够在宽输入电压范围内保持恒定输出，提升灯具寿命和光效。此外，在太阳能微型逆变器或小型光伏逆变系统中，6N65L-TN3-R可用于DC-AC转换阶段的初级开关元件，帮助实现高效率的能量转换。
　　其他应用还包括家电变频控制器、电机驱动辅助电源、不间断电源（UPS）中的DC-DC变换级以及电信设备的板载电源系统。凭借其高可靠性和成熟的封装工艺，该MOSFET也适用于对长期运行稳定性有较高要求的工业控制和自动化设备中。