6N136-500E是一种高速光耦合器,主要由GaAs红外发光二极管(LED)和硅光电晶体管组成。它能够在电气隔离条件下传输信号,广泛应用于各种工业和消费类电子设备中。
该器件的特点是高共模抑制能力、低输入电流和快速开关速度,适用于需要高稳定性和可靠性的应用环境。
工作电压(Vcc):5V
输入电流(If):1.6mA~20mA
集电极-发射极电压(Vce):70V
输出电流(Ic):8mA
绝缘电压(VIORM):5000Vrms
传播延迟时间(tPLH/tPHL):最大4μs
工作温度范围:-40°C~+110°C
6N136-500E具备以下显著特性:
1. 高速响应,能够满足对时序要求较高的应用场景。
2. 优秀的抗噪声性能,特别适合在电磁干扰环境下使用。
3. 小型化封装设计,便于在紧凑型电路板上安装。
4. 宽泛的工作温度范围,适应多种极端环境条件。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。
该芯片适用于以下领域:
1. 工业自动化控制中的信号隔离。
2. 开关电源和逆变器的驱动电路。
3. 数字通信接口的电平转换与隔离。
4. 医疗设备内部的数据传输保护。
5. 消费类电子产品中的安全隔离功能实现。
6N137, HCPL-2630, PS2501-1