类型：光耦合器
　　封装类型：DIP-8
　　电流传输比（CTR）：50%-500% @ IF=10mA，VCE=5V
　　最大正向电流（IF）：60mA
　　最大反向电压（VR）：5V
　　集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　隔离电压：5000Vrms
　　响应时间：最大500ns（典型值）
　　输出类型：晶体管输出
　　输入类型：红外LED

6N135500E 光耦合器具有多个显著的技术特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其高隔离电压（5000Vrms）确保了输入和输出之间有效的电气隔离，适用于需要高安全等级的系统设计。此外，该器件具有较快的响应时间（最大500ns），支持高速信号传输，适用于PWM控制、数字通信等对响应速度要求较高的应用。
　　该光耦合器的电流传输比（CTR）范围为50%至500%，在IF=10mA和VCE=5V的测试条件下表现出良好的线性度和稳定性，使得其适用于不同驱动电流的设计需求。6N135500E 的工作温度范围为-55°C至+125°C，适应工业级温度要求，适用于高温或低温环境下运行的设备。
　　该器件采用DIP-8封装，便于安装和焊接，适用于自动化生产线。同时，其晶体管输出结构允许直接驱动逻辑电路或继电器，简化了外围电路设计。6N135500E 的高可靠性和长寿命使其成为工业控制、电源转换、电机驱动等应用中的理想选择。

6N135500E 主要用于需要电气隔离和高速信号传输的电路中。常见的应用包括开关电源中的反馈控制、变频器与电机控制电路之间的信号隔离、PLC（可编程逻辑控制器）输入输出隔离、工业通信接口（如RS-485）的隔离设计等。此外，该光耦合器也常用于电源管理模块、不间断电源（UPS）、智能电表、医疗设备以及消费类电子产品中，以确保系统安全和信号稳定性。
　　在电机控制应用中，6N135500E 可用于隔离微控制器与功率MOSFET或IGBT驱动电路，防止高压干扰和电流回路带来的噪声影响。在通信系统中，该器件可有效隔离不同地电位之间的连接，避免地环路干扰，提高系统稳定性。由于其高速响应特性，6N135500E 也适用于数字隔离电路、脉冲宽度调制（PWM）信号传输以及高速逻辑电平转换场合。

6N137、HCPL-2630、TLP2361、EL3H7-G