6DI50C-050 是一款由 IXYS 公司制造的高功率双极晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),主要用于高功率开关和放大电路应用。该晶体管具有较高的集电极电流容量和较大的功率耗散能力,适用于电源管理、工业控制、电机驱动和逆变器等高功率应用场景。
晶体管类型:NPN 双极晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):50V
集电极电流(IC):50A
功率耗散(PD):200W
工作温度范围:-65°C 至 150°C
封装类型:TO-247
6DI50C-050 具备优异的电流放大性能,能够在高电流条件下稳定运行。其设计支持快速开关操作,适用于需要高频响应的功率电子设备。此外,该器件采用了高热稳定性和良好散热性能的 TO-247 封装,有助于在高负载条件下维持较低的结温,从而提高整体系统的可靠性和寿命。该晶体管的高电流承载能力(50A)和200W的功率耗散能力使其能够应对极端工作条件,适合用于高功率开关电路和线性放大器设计。
在制造材料方面,6DI50C-050 使用了高纯度硅材料,并采用了先进的制造工艺,以确保其电气性能的一致性和长期稳定性。其设计还考虑了电磁干扰(EMI)的控制,有助于减少在高频率切换时产生的干扰信号,从而提升系统的电磁兼容性(EMC)表现。
6DI50C-050 主要应用于需要高功率放大的场合,例如工业电机控制、直流电源转换、逆变器、焊接设备、高功率音频放大器以及不间断电源(UPS)系统。此外,该晶体管也可用于需要高电流开关的自动化控制电路和工业机械系统中。由于其高可靠性和热稳定性,它在恶劣环境下的工业设备中也有广泛应用。
TIP142, 2N6259, MJ21194