时间：2025/8/9 7:43:33
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6DI120C-050是一款由Diodes Incorporated生产的双路N沟道增强型MOSFET器件，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供卓越的性能和可靠性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等多种应用场景。该MOSFET封装为TSOP，具有小尺寸和高功率密度的特点。
类型：双路N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：12A（单路）
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大为50mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：3.8W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSOP
引脚数：8
6DI120C-050采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻和高开关速度，能够显著减少导通损耗和开关损耗，提高系统效率。其双路配置设计允许在单个芯片上实现两个独立的MOSFET通道，非常适合空间受限的设计。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高电流和高温环境下保持稳定的性能。内置的ESD保护功能增强了器件的可靠性，减少了外部保护元件的需求。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广，支持4.5V至20V的栅极电压输入，使其兼容多种驱动电路。该器件的封装设计具有优异的散热性能，确保在高功率应用中仍能保持较低的工作温度。
6DI120C-050广泛应用于各类电子设备中，包括DC-DC转换器、电源管理系统、负载开关、电机控制器、电池供电设备以及各种需要高效能MOSFET的电路设计中。由于其小尺寸和高性能特点，特别适合用于便携式电子产品和空间受限的工业设备。
6DI120C-050的替代型号包括AO4406、Si4406DY、FDMS86101
