时间：2025/8/9 9:47:11
阅读：31
6DI100M-120 是一款由东芝（Toshiba）生产的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），广泛用于高功率应用，例如工业电机驱动、逆变器、电源系统和电动车辆等领域。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性，使其在高电压和高电流条件下具有出色的性能。6DI100M-120 采用TO-247封装，便于安装和散热管理。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压：1200V
最大集电极电流：100A
导通压降：约2.1V（典型值）
最大工作温度：150℃
栅极驱动电压：+15V/-15V
封装类型：TO-247
短路耐受能力：有
热阻（Rth）：约0.3℃/W
输入电容（Cies）：约4800pF
6DI100M-120 IGBT具备多项关键特性，适用于高功率和高可靠性应用。首先，其最大集电极-发射极电压（VCES）为1200V，能够支持高压系统设计，同时最大集电极电流（IC）为100A，使其能够承受较大的负载电流。该器件的导通压降约为2.1V，确保了在高电流条件下的低功率损耗。
此外，6DI100M-120支持栅极驱动电压为+15V/-15V，有助于提高开关速度和稳定性，并减少开关损耗。其最大工作温度为150℃，在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于工业级应用。
6DI100M-120 主要用于需要高电压和大电流处理能力的电力电子系统中。例如，它广泛应用于工业电机驱动（如变频器和伺服驱动器）、电源转换系统（如UPS不间断电源和直流-交流逆变器）以及电动车辆的功率管理系统。此外，该IGBT还可用于太阳能逆变器、电焊机和感应加热设备等高功率应用领域。
SKM100GB12T4, FZ100R12KS4, FF100R12KS4, 2MBI100U4B-120
