68WR1KLF 时间：2025/10/10 22:18:44 阅读：7

68WR1KLF是一款由Vishay Siliconix公司生产的表面贴装齐纳二极管，专为高精度电压箝位和稳压应用设计。该器件采用SOD-123FL小型封装，具有低功耗、高稳定性和快速响应的特点，广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路以及信号保护场合。68WR1KLF的标称齐纳电压为68V，容差为±5%，能够在较小的封装内提供可靠的电压调节功能。其结构基于硅PN结反向击穿原理，在达到设定的齐纳电压后能够维持一个相对稳定的电压水平，从而保护后续电路免受过压损害。该器件在制造过程中采用了先进的光刻工艺和薄膜金属化技术，确保了长期工作的稳定性和温度循环下的可靠性。此外，68WR1KLF符合RoHS指令要求，并且具备无卤素（Halogen-free）特性，适用于对环保有严格要求的应用场景。由于其紧凑的封装尺寸和优良的热性能，该齐纳二极管非常适合用于空间受限但需要高性能电压保护的设计中，如通信模块、消费类电子产品和工业控制设备等。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　齐纳电压（Vz）：68 V
　　容差：±5%
　　测试电流（IzT）：1.0 mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：75 Ω
　　最大反向漏电流（IR）：1.0 μA
　　功率耗散（Ptot）：250 mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　极性：单齐纳
　　安装类型：表面贴装

特性

68WR1KLF齐纳二极管的核心特性之一是其高精度的电压稳定性，这使其在精密电压参考和稳压电路中表现出色。该器件在额定测试电流1mA下可提供精确的68V齐纳电压，且电压容差控制在±5%以内，确保系统设计时具有较高的可预测性和一致性。其低动态阻抗（最大75Ω）意味着在负载变化或输入波动的情况下，输出电压仍能保持高度稳定，有效抑制电压漂移。这一特性对于需要长期运行稳定性的应用至关重要，例如传感器信号调理电路或ADC参考源保护。
　　另一个显著特点是其优异的温度系数表现。尽管高电压齐纳二极管通常具有正温度系数，但68WR1KLF通过优化掺杂工艺和结构设计，在宽温度范围内实现了较为平坦的电压温度特性。其工作结温范围可达-55°C至+150°C，适合极端环境下的使用，如汽车电子或工业自动化设备。此外，该器件具备较低的反向漏电流（最大1μA），即使在接近击穿电压的条件下也能保持良好的关断特性，减少静态功耗并提高能效。
　　SOD-123FL封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.1mm x 1.3mm x 1.0mm），还具备良好的散热能力，有助于将功率损耗产生的热量迅速传导至PCB，从而提升整体可靠性。该封装与标准回流焊工艺兼容，支持自动化高速贴片生产，有利于大批量制造。同时，器件经过严格的可靠性验证，包括高温反向偏置（HTRB）、温度循环和湿度敏感度等级（MSL1）测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。这些综合特性使68WR1KLF成为高电压保护、浪涌抑制和基准电压生成等关键应用的理想选择。

应用

68WR1KLF齐纳二极管广泛应用于多种电子系统中，主要用于电压箝位、过压保护和稳压参考。在电源管理系统中，它常被用作辅助稳压元件，特别是在多级DC-DC转换器或LDO输出端，用于防止瞬态高压损坏敏感IC。在工业控制系统中，该器件可用于PLC输入模块的信号限幅，保护微控制器接口免受感应负载开关引起的电压尖峰影响。此外，在通信设备如路由器、交换机和光模块中，68WR1KLF可用于保护数据线路免受静电放电（ESD）和雷击感应过压的损害，提升系统的电磁兼容性（EMC）性能。
　　在消费类电子产品中，该齐纳二极管常见于手机充电管理电路、可穿戴设备和智能家居控制器中，作为电池电压监测回路中的参考元件或保护元件。其小尺寸封装特别适合高密度PCB布局，有助于实现产品的小型化和轻薄化设计。在汽车电子领域，虽然该器件未专门认证为AEC-Q101等级，但仍可用于非安全关键的车载信息娱乐系统或车身控制模块中，提供一定程度的电压保护。此外，在测试与测量仪器中，68WR1KLF可用作高阻抗探头或ADC前端的电压限制器，防止因误接或信号异常导致的设备损坏。总体而言，该器件凭借其高精度、小体积和高可靠性，适用于任何需要稳定68V参考或过压防护的低压直流系统。