682KTM1608H410H 时间：2025/12/27 14:57:42 阅读：11

682KTM1608H410H 是一款由 Samsung Electro-Mechanics（三星电机）生产的表面贴装多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高容值、小尺寸的片式电容器系列，广泛应用于各类消费类电子产品、通信设备以及工业控制电路中。型号中的编码通常代表了其关键电气与物理特性：其中 '682' 表示标称电容值为 6800pF（即 6.8nF），'K' 代表电容容差为 ±10%，'TM' 可能为产品系列或介质类型标识，'1608' 指封装尺寸为 1608 公制尺寸（即 0603 英制尺寸，约 1.6mm × 0.8mm），'H' 可能表示额定电压等级，而 '410H' 可能进一步指代温度特性、介质材料及特定的产品变种。该器件采用镍阻挡层端子电极结构（Ni barrier terminal electrode），具备良好的可焊性和耐热冲击性能，适用于回流焊接工艺。作为一款 C0G/NP0 类介质的 MLCC（若确认为 C0G 材质），它表现出极佳的温度稳定性、低介电损耗和几乎为零的电容偏压效应，适合用于高频、高稳定性要求的电路设计场景，如滤波、耦合、谐振和定时电路等。

参数

电容值：6800pF (6.8nF)
　　容差：±10%
　　封装尺寸：1608（公制）/0603（英制）
　　介质材料：C0G（NP0）
　　额定电压：50V（推测值，依据常见H代码定义）
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　产品类型：表面贴装多层陶瓷电容器（MLCC）
　　端接类型：镍阻挡层（Ni Barrier）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

682KTM1608H410H 所采用的 C0G（也称 NP0）陶瓷介质赋予其卓越的电气稳定性，这是该器件最核心的优势之一。C0G 材料是一种 Class I 陶瓷介质，具有极低的介电常数随温度变化的特性，其温度系数为 0 ±30ppm/°C，在整个工作温度范围内（-55°C 至 +125°C）电容值几乎不发生漂移。这一特性使得该电容器在需要精密频率控制和相位稳定性的电路中表现优异，例如射频匹配网络、LC 谐振电路、时钟振荡器旁路以及高精度模拟信号路径中的耦合与去耦应用。
　　此外，C0G 介质还具备极低的介质损耗（tan δ 通常低于 0.1%），这意味着在高频工作条件下能量损耗极小，不会因自身发热而导致性能下降或系统效率降低。同时，该类电容器不受直流偏置电压的影响，即使施加接近额定电压的直流偏压，其有效电容值仍能保持不变，这与 X7R、X5R 等高介电常数但非线性介质的 MLCC 形成鲜明对比。因此，在对信号完整性要求较高的场合，如高速数据传输接口的终端匹配、ADC/DAC 前端滤波等，使用此类器件可显著提升系统可靠性与精度。
　　从机械与工艺角度看，1608 封装尺寸兼顾了小型化与自动化贴装的可行性，适用于高密度 PCB 设计。其镍阻挡层端子结构提升了抗迁移能力，特别是在潮湿高温环境下能有效防止银离子迁移导致的短路风险，增强了长期使用的可靠性。整体上，这款 MLCC 在稳定性、可靠性和高频性能方面达到了较高水平，是高性能电子设计中的理想选择。

应用

682KTM1608H410H 凭借其优异的温度稳定性和低损耗特性，主要应用于对电容稳定性要求极高的电路环境中。典型应用场景包括射频（RF）前端模块中的阻抗匹配网络，用于确保天线、功率放大器与滤波器之间的信号高效传输；在无线通信设备如智能手机、Wi-Fi 模块、蓝牙模块中，该电容器常被用作 LC 谐振电路的一部分，以实现精确的频率选择与滤波功能。
　　在精密模拟电路中，例如运算放大器配置中的反馈补偿、有源滤波器设计、传感器信号调理电路等，该器件能够提供稳定的电容值，避免因温度波动引起的增益或截止频率偏移，从而保证系统的测量精度与动态响应一致性。此外，在时钟与定时电路中，如晶体振荡器的负载电容配置，使用 C0G 类电容器可确保振荡频率的高度稳定，减少时间漂移误差，适用于工业控制、医疗设备和测试仪器等对时间基准敏感的应用领域。
　　该器件也广泛用于电源去耦，尤其是在低噪声电源轨（如 PLL、VCO、ADC 参考电源）中作为高频去耦电容，有效滤除高频噪声，提升电源纯净度。由于其无压电效应、低 EMI 特性，亦可用于音频信号路径中，避免电容本身引入微音效应或失真。总体而言，该器件适用于消费电子、通信设备、汽车电子（非动力系统）、工业自动化及医疗电子等多种高端电子系统的设计需求。