时间:2025/12/27 17:20:47
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67WR200K是一款高压、高稳定性的绕线电阻器,广泛应用于需要高精度和高可靠性的工业和电力电子系统中。该电阻器属于Ohmite制造的67WR系列,该系列产品以其卓越的功率处理能力、出色的耐热性和长期稳定性而著称。67WR200K的具体阻值为200千欧姆(kΩ),额定功率为7瓦特(W),适用于在高温和高电压环境下工作的电路设计。其结构采用陶瓷管芯作为基底,外部包裹金属氧化膜或绕线元件,并通过高温釉料进行封装,从而提供优异的绝缘性能和抗环境应力能力。这种设计使得67WR200K能够在恶劣的工作条件下保持稳定的电气特性,避免因温度波动或电压冲击导致的性能下降。
该器件通常用于电源系统、电机控制、工业自动化设备以及测试测量仪器中,尤其适合需要长时间连续运行且对故障率要求极低的应用场景。此外,67WR200K具备良好的脉冲负载承受能力,能够在瞬态过压或浪涌电流条件下维持正常工作而不发生永久性损坏。引脚布局符合标准通孔安装规范,便于手工焊接或自动插件机装配,增强了其在多种制造流程中的适用性。整体而言,67WR200K是一种兼具高性能与高可靠性的功率电阻解决方案,特别适用于对安全性和稳定性有严格要求的高端电子系统。
型号:67WR200K
类型:绕线电阻器
阻值:200kΩ
容差:±5%
额定功率:7W
最高工作电压:1100V
最大过载电压:1500V
温度系数:±20ppm/℃
绝缘电阻:>1000MΩ
耐湿性:符合IEC 60068-2-30标准
引线材料:镀锡铜线
外壳材质:陶瓷基体+高温釉涂层
尺寸:直径约9.5mm,长度约31.8mm
安装方式:通孔直插(THT)
67WR200K的核心特性之一是其采用高纯度陶瓷基体与精密绕线工艺相结合的设计,确保了在高功率负载下的热稳定性和机械强度。陶瓷基体具有极高的导热性和低热膨胀系数,能够有效将电阻丝产生的热量快速传导至表面并散发到环境中,从而防止局部过热导致的阻值漂移或材料老化。同时,绕线部分使用镍铬(NiCr)或康铜等高电阻率合金丝材,经过精确绕制和退火处理,使其在宽温度范围内保持稳定的阻值输出。该电阻器的容差控制在±5%,对于一个7瓦级别的功率电阻而言,这一精度水平足以满足大多数工业级应用的需求。
另一个显著特点是其出色的耐高压能力。67WR200K的最大工作电压可达1100V DC,短时间内可承受高达1500V的过载电压,这使其非常适合用于开关电源、逆变器、X射线发生器和其他高电压电路中作为限流、放电或缓冲元件。其内部结构经过优化设计,避免电弧放电和局部击穿现象的发生,提升了整体安全性。此外,外层涂覆的高温釉料不仅提供了优良的电气绝缘性能(绝缘电阻大于1000兆欧),还增强了对潮湿、灰尘和化学腐蚀的防护能力,符合IEC 60068-2-30规定的严苛湿热循环测试标准。
该器件还具备优异的脉冲负载能力,能够承受反复的电流冲击而不发生性能劣化。这对于在电机启动、电容充放电或雷击浪涌保护等瞬态工况下工作的电路尤为重要。其温度系数控制在±20ppm/℃以内,意味着即使在-55℃至+275℃的工作温度范围内,阻值变化也非常微小,保证了系统的长期稳定性。此外,67WR200K采用镀锡铜引线,具有良好可焊性,支持波峰焊和手工焊接工艺,适用于大规模生产。整体结构坚固耐用,抗震性强,能够在振动频繁的工业环境中可靠运行。
67WR200K广泛应用于多个高要求的电子系统领域。在工业电源系统中,它常被用作高压滤波电路中的泄放电阻,用于在设备断电后快速释放储能电容中的残余电荷,以保障维护人员的安全。由于其高阻值和高耐压特性,该电阻非常适合连接在数百伏甚至上千伏的直流母线上,在不显著增加待机功耗的前提下实现有效的能量释放功能。
在电机驱动和变频器设备中,67WR200K可用于制动单元中的能耗制动电阻,当电机处于再生发电状态时,将多余的能量以热能形式消耗掉,防止直流母线电压过高造成逆变器损坏。尽管200kΩ的阻值相对较高,不适合大功率制动,但在小功率或辅助控制回路中仍可发挥重要作用,例如用于信号采样、电压分压或反馈网络中的精密电阻元件。
在测试与测量仪器中,如高压探头、示波器输入衰减网络或校准设备中,67WR200K因其低温度系数和长期稳定性,可作为参考电阻使用,确保测量结果的准确性。此外,在医疗成像设备(如X光机、CT扫描仪)的高压发生器模块中,该电阻可用于高压分压网络或电流检测路径,协助控制系统监测和调节输出电压。
在铁路交通、航空航天及新能源领域,67WR200K也常见于电源管理模块、电池管理系统(BMS)的电压监测电路或绝缘检测单元中。其高可靠性设计符合工业级和部分军用标准,能够在极端温度、湿度和电磁干扰环境下持续稳定工作。此外,由于其无感或低感结构设计(取决于具体绕线方式),也可用于高频开关电源中的阻尼网络,抑制振荡和电磁干扰。总之,67WR200K凭借其高压、高阻、高稳定性等特点,成为众多关键电子系统中不可或缺的基础元器件。