672M02LF 时间：2025/12/27 17:37:57 阅读：11

672M02LF是一款由Diodes Incorporated生产的晶体管阵列器件，内部集成了两个独立的N沟道MOSFET。该器件采用SOT-23-6小型表面贴装封装，适用于空间受限的便携式电子设备和高密度PCB布局设计。672M02LF的设计目标是提供高效的开关性能和良好的热稳定性，同时保持低功耗特性。其广泛应用于电源管理、负载开关、LED驱动以及信号切换等场景。该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适合现代绿色电子产品制造要求。由于其双通道结构，可以用于互补控制或并联工作以提高电流驱动能力。此外，672M02LF具备良好的栅极耐压能力和抗静电性能，增强了在实际应用中的可靠性。该芯片在设计上优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出色。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　极性：N-Channel
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：500mA（单通道）
　　脉冲漏极电流（Idm）：1A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（典型值，Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容（Ciss）：120pF（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23-6
　　安装类型：表面贴装

特性

672M02LF的两个N沟道MOSFET具有低导通电阻特性，典型值为0.22Ω，在低电压应用中能有效减少功率损耗，提升系统效率。这一特性使其特别适合用于电池供电设备中的电源开关或负载控制，能够在有限的电压条件下实现高效的能量传输。此外，该器件的阈值电压范围为0.6V至1.2V，支持低电压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或更低的微控制器输出，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　该器件的栅极耐压为±8V，提供了足够的安全裕量，防止因瞬态电压尖峰导致栅氧层击穿。输入电容仅为120pF左右，意味着在开关过程中所需的驱动电荷较少，从而降低了驱动电路的负担，并有助于实现更高的开关频率。这对于需要快速响应的应用如PWM调光控制或高速信号切换尤为重要。同时，低输入电容也有助于减少电磁干扰（EMI）的产生。
　　SOT-23-6封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，通过PCB焊盘可有效将热量传导出去，确保器件在持续负载下仍能稳定运行。器件的最大结温可达150°C，表明其在高温环境下仍具备可靠的运行能力。此外，672M02LF经过严格的生产测试，保证了批次间的一致性和长期使用的稳定性，适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境要求。

应用

672M02LF常用于便携式电子设备中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中作为负载开关控制背光、传感器或外设的供电通断。其低导通电阻和小封装特性非常适合这类对能效和空间高度敏感的应用场景。此外，该器件也可用于LED驱动电路中，作为恒流源的开关元件，实现精确的亮度调节功能。
　　在电池管理系统中，672M02LF可用于充放电路径的控制，配合保护IC实现过流、过压保护功能。其双通道结构允许独立控制两条电路，或者并联使用以提高电流承载能力。在通信接口电路中，该器件可用于信号路径的选择与隔离，例如USB数据线或多路I2C总线的切换控制。
　　由于其良好的开关特性和低静态功耗，672M02LF也广泛应用于各种嵌入式控制系统中，如微控制器外围驱动、继电器驱动替代方案以及电机控制中的低端开关。此外，在DC-DC转换器的同步整流部分，虽然其电流能力有限，但在轻载或低压输出拓扑中仍可作为辅助开关使用，进一步优化整体转换效率。