66LKB260ST 时间：2025/8/25 5:29:00 阅读：13

66LKB260ST 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。这款器件采用了先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于如DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制和电池管理系统等场景。66LKB260ST 采用PowerFLAT 5x6封装，提供良好的热管理和紧凑的电路布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：130A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：60V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.6mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5V ~ 4V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

特性

66LKB260ST 具备多项优越特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在60V耐压下可承载高达130A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。
　　其次，采用PowerFLAT 5x6封装，具备优良的热性能和空间利用率，适合紧凑型PCB布局。该封装还具有低热阻特性，有助于散热，提升器件的可靠性。
　　此外，该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关电源应用，减少开关损耗。其栅极驱动电压范围宽泛（通常为4.5V至20V），兼容多种驱动电路设计，如专用驱动IC或微控制器直接驱动。
　　该器件还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在突发负载或电感负载切换时的稳定性，适用于工业自动化、汽车电子、服务器电源等高可靠性要求的应用场景。

应用

66LKB260ST 主要应用于需要高效率、高电流和高可靠性的电源系统中。例如，在DC-DC转换器中作为主开关元件，提供高效的电压变换；在同步整流器中替代传统二极管，提高转换效率；在电机驱动和H桥电路中作为高侧或低侧开关，控制电机的启停和方向。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、储能系统、工业电源、服务器电源和电动汽车充电模块等场景。由于其高电流能力和优良的热管理性能，特别适合用于需要长时间高负载工作的设备中。
　　在汽车电子领域，66LKB260ST 可用于车载逆变器、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和48V轻混系统等，满足现代汽车对高效能、高可靠性的需求。