时间：2025/5/20 15:34:01
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65E6250/IPD65R250E6 是一款基于先进的硅技术制造的 MOSFET 功率器件，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它主要用于高频功率转换应用中，如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该型号采用 TO-247 或 D2PAK 封装，适用于需要高效能和散热良好的设计。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：36A
导通电阻：250mΩ
栅极电荷：12nC
总电容：330pF
功耗：300W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
这款 MOSFET 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频功率转换应用。
3. 热稳定性强，能够在极端温度范围内正常运行。
4. 内置反向恢复二极管，优化了续流路径，降低了整体损耗。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 可靠性高，具备出色的抗雪崩能力。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. 工业用 DC-DC 转换器。
3. 太阳能微型逆变器。
4. 电动车及混合动力车中的电机驱动控制。
5. 各类家用电器的高效功率管理系统。
6. LED 驱动器以及各类工业自动化设备。
IPD65R250P6, IRFP460, FDP18N65C3
