64G0506是一款由Alliance Memory公司生产的64MB (32M x 2) CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片,采用标准TSOP封装,适用于需要大容量内存和高性能数据存储的应用场合。该芯片支持自动刷新和低功耗模式,适合在便携式设备和嵌入式系统中使用。
类型:DRAM
容量:64MB (32M x 2)
电压:2.3V - 3.6V
封装:TSOP
接口:并行
访问时间:5.4ns - 10ns(根据型号后缀不同)
刷新方式:自动刷新/自刷新
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
64G0506是一款高性能CMOS动态RAM芯片,具有较大的存储容量和高速访问能力。其低功耗设计支持自动刷新和自刷新模式,有助于延长电池寿命,非常适合用于便携式设备。该芯片的电压范围为2.3V至3.6V,具有较强的适应性,能够在多种电源环境下稳定运行。此外,64G0506具备工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种严苛的工业和嵌入式应用环境。其TSOP封装形式有助于减小电路板空间,提升集成度。
64G0506广泛应用于嵌入式系统、手持设备、通信模块、工业控制设备、视频游戏设备以及其他需要较高存储容量和较低功耗的电子设备中。由于其高速访问时间和宽电压范围,该芯片也非常适合用于需要频繁数据读写和稳定运行的场景。
ISSI IS64WV256A8ALLBIR6-6A, Cypress CY641506AV9C, Micron MT48LC16M2A2B4-6A