64F3664FPV 时间：2025/9/7 15:08:49 阅读：20

64F3664FPV 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率应用，如电源转换、电机控制和工业设备。该器件采用先进的沟槽式硅栅工艺制造，具备高效率和低导通电阻的特性，能够在高电流条件下稳定工作。其封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于多种高功率电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：120A
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.6mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

64F3664FPV MOSFET具有多项卓越的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）为3.6mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在高电流应用中，这种低电阻特性尤为重要，因为它可以减少功率损耗和热量产生，提高整体系统的稳定性和可靠性。
　　其次，该器件的最大漏极电流为120A，漏极-源极电压额定值为60V，适用于高功率密度的设计。这种高电流能力和中等电压等级使其非常适合用于电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等应用场景。
　　此外，64F3664FPV采用了东芝先进的沟槽式硅栅技术，提供了出色的开关性能和热稳定性。其栅极-源极电压最大值为±20V，确保了器件在复杂工作环境下的可靠控制。
　　该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，便于在标准电路板上安装。TO-220封装还提供了良好的机械稳定性和热传导能力，有助于在高功耗条件下维持较低的结温，延长器件的使用寿命。
　　最后，64F3664FPV的工作温度范围为-55°C至+150°C，使其能够在广泛的工业环境温度下可靠运行，满足工业级和汽车级应用的严苛要求。

应用

64F3664FPV MOSFET广泛应用于多个高功率电子系统领域。在电源管理方面，它常用于高效DC-DC转换器、同步整流器和电源模块，其低导通电阻和高电流能力可显著提升电源转换效率。
　　在电机控制应用中，该器件适用于电动工具、工业电机驱动器和电动车控制系统。其高电流处理能力和良好的热稳定性使其能够在频繁启停和负载变化的条件下保持稳定工作。
　　此外，64F3664FPV也适用于电池管理系统（BMS）和储能系统，用于控制高功率充放电电路。其优异的导通特性和耐用性使其成为新能源汽车、储能逆变器和不间断电源（UPS）等应用的理想选择。
　　在工业自动化和机器人技术中，该MOSFET用于高功率负载开关和执行器控制，确保快速响应和稳定的电流控制。
　　最后，在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、起动电机控制和车载逆变器系统，满足汽车级工作温度和可靠性的要求。