时间：2025/9/6 19:09:35
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64F2633F25 是一款由 Micron Technology 生产的 DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于 Fast Page Mode DRAM（快速页面模式动态随机存取存储器）系列，广泛应用于早期的计算机系统、工业设备和嵌入式系统中。64F2633F25 提供了 64MB 的存储容量，支持 3.3V 电源供电，具有高速访问能力和稳定的工作性能。该芯片采用 54 引脚 SOJ（Small Outline J-Lead）封装，适用于多种标准存储器应用场景。
容量：64MB
电压：3.3V
封装：54 引脚 SOJ
访问时间：25ns
接口类型：Fast Page Mode
数据宽度：16 位
工作温度范围：0°C 至 70°C
存储温度范围：-65°C 至 150°C
最大工作电流：120mA（典型值）
64F2633F25 芯片具备多项关键特性，适用于需要中等容量存储器的系统设计。首先，其 64MB 的存储容量在早期的工业和嵌入式系统中属于标准配置，能够满足基本的数据存储和缓存需求。芯片的访问时间为 25ns，这意味着它能够在较短的时间内完成一次数据读写操作，从而提升系统的整体响应速度。
其次，64F2633F25 支持 Fast Page Mode 操作，这是一种高效的内存访问模式，允许在同一行地址内快速访问不同的列地址，从而减少访问延迟并提高数据吞吐量。这种模式特别适用于需要连续读取或写入数据的应用场景，如图形显示缓存或数据缓冲。
此外，该芯片采用 3.3V 电源供电，相比早期的 5V 存储器产品，功耗更低，有助于减少系统的热管理和电源设计负担。其 54 引脚 SOJ 封装具有良好的焊接可靠性和较小的 PCB 占用空间，适合高密度电路板设计。
64F2633F25 的工作温度范围为 0°C 至 70°C，符合工业级应用的环境要求，可在大多数室内工业环境中稳定运行。存储温度范围为 -65°C 至 150°C，确保芯片在极端存储条件下的可靠性。最大工作电流为 120mA（典型值），在低功耗设计中表现出色，适合电池供电或对功耗敏感的系统应用。
64F2633F25 芯片广泛应用于多种需要中等容量 DRAM 的系统中，尤其是在早期的计算机主板、嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。由于其 Fast Page Mode 接口特性，该芯片非常适合用于图形显示缓存、数据缓冲、系统内存扩展等场景。
在嵌入式系统中，64F2633F25 可作为主处理器的外部存储器，提供额外的运行内存空间，支持更复杂的应用程序运行。在工业控制设备中，该芯片可用于临时存储传感器数据、程序指令和系统状态信息。
此外，该芯片也常用于老旧计算机系统的维修和升级，例如用于替换早期的 SIMM 或 SDRAM 模块中的 DRAM 芯片，延长设备的使用寿命。在某些特定的通信设备中，64F2633F25 可用于数据包缓存和协议处理任务，提高数据传输效率。
IS64FV2633B25D-7TLI, CY64FV2633F25ZS, A64FV2633F25SC
