容量：8MB（1M x 8）
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：16ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　接口类型：并行
　　封装尺寸：54引脚 TSOP
　　最大工作频率：约50MHz
　　数据保持电压：1.0V（最低）

63ZL82M8X16 SRAM芯片具备多项优异特性，适合工业级应用需求。首先，其高速访问时间（16ns）确保了数据读写响应迅速，满足实时处理场景的要求。芯片采用低功耗CMOS技术，在保证性能的同时有效降低功耗，适合对能耗敏感的设计。此外，其宽广的工作电压范围（2.3V至3.6V）增强了电源适应性，支持在多种供电条件下稳定运行。
　　该芯片还具备数据保持功能，即使在低至1.0V的电压下也能维持数据完整性，适合用作备份存储器。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，确保在极端环境中的稳定性。TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了抗干扰能力，适合高密度PCB布局。此外，63ZL82M8X16具备良好的抗静电能力和高噪声抑制性能，确保系统长期运行的可靠性。

63ZL82M8X16 SRAM芯片广泛应用于需要高速存储和可靠数据保持的嵌入式系统和工业设备中。例如，该芯片可用于网络设备中的缓存存储器，用于临时存储高速数据流；也可用于工业控制系统中，作为PLC（可编程逻辑控制器）的临时数据存储器，确保控制指令的快速执行和系统状态的实时保存。
　　此外，该芯片适合用于通信设备中的帧缓存器，用于图像或视频数据的快速处理。在测试测量仪器中，该芯片可作为高速采集数据的暂存器，提升测试效率。由于其低功耗和宽温特性，该芯片也常用于便携式设备、医疗设备和航空航天电子系统中，满足对数据存储稳定性要求较高的应用场景。

63ZL82M8X16的替代型号包括：IDT71V416S、ISSI IS61LV10248ALLBIR7、Cypress CY62148E