类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：64 Mbit（8M x 8）
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：约5.4ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持电压：1.5V
　　最大工作频率：166MHz
　　引脚数量：54
　　组织结构：x8或x16模式可选

63YXH82M8X16 SRAM芯片具备多种显著特性，使其在高性能存储应用中表现出色。首先，其高速访问时间（约5.4ns）确保了数据处理的高效性，适合需要快速响应的系统。低功耗设计使得该芯片在持续运行时能耗较低，非常适合电池供电或高密度系统设计。此外，该器件支持宽电压范围供电（2.3V至3.6V），增强了其在不同应用环境下的兼容性和稳定性。该芯片的封装形式为TSOP，具有较小的封装尺寸，便于在空间受限的设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于各种恶劣环境。63YXH82M8X16还支持多种组织模式，包括x8和x16模式，提供灵活的接口选项，便于系统集成。此外，它具有良好的数据保持能力，在低至1.5V的电压下仍能保持存储数据，提高了系统的可靠性。

63YXH82M8X16 SRAM芯片广泛应用于需要高速存储器的场合。例如，它常用于网络设备（如路由器和交换机）中的缓存存储器，以提高数据转发效率；在嵌入式系统中，它可作为主存储器或高速缓存使用，以提升系统性能；在工业控制设备中，该芯片可用于存储关键数据或程序指令，确保系统稳定运行；此外，该芯片还适用于测试设备、通信模块、图像处理系统等对存储速度和可靠性有较高要求的应用场景。

CY7C64225-54BZC、IS61LV25616-10BLL、IDT71V416S10PFG、ISSI IS64WX5128AQBML等。