61521 时间：2025/12/26 20:43:05 阅读：11

61521是一款由Vishay Siliconix公司生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等场合。该器件采用先进的沟槽技术制造，能够在较小的封装尺寸下实现较低的导通电阻和较高的电流承载能力。61521通常采用SOT-23封装，属于小型表面贴装器件，适合对空间要求较高的便携式电子设备使用。其主要优势在于高效率、低功耗和良好的热稳定性，在电池供电系统中表现尤为出色。由于其优异的开关特性和可靠性，61521被广泛用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他需要高效能功率开关的应用场景中。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗静电（ESD）保护能力，增强了在实际应用中的鲁棒性。

参数

型号：61521
　　制造商：Vishay Siliconix
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：5.4 A
　　导通电阻（Rds(on)）：23 mΩ @ Vgs = 10 V, Id = 2.7 A
　　导通电阻（Rds(on)）：28 mΩ @ Vgs = 4.5 V, Id = 2.7 A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：0.8 V ~ 1.4 V
　　输入电容（Ciss）：425 pF @ Vds = 10 V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

61521的核心特性之一是其采用的先进沟槽式MOSFET结构，这种结构通过优化载流子流动路径，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了整体能效。该器件在低电压驱动条件下仍能保持出色的性能表现，例如在Vgs为4.5V时，Rds(on)仅为28mΩ，这使得它非常适合用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的开关电路中。此外，其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容有助于加快开关速度，降低开关损耗，提升高频工作的效率。该器件还具有良好的热稳定性和较高的结温（最高可达150°C），确保在高温环境下仍能可靠运行。
　　另一个关键特性是其小型化封装设计。SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，适用于高密度组装需求。尽管体积小巧，但61521仍能承受高达5.4A的连续漏极电流，体现了其在功率密度方面的卓越表现。同时，该器件具备较强的抗瞬态过载能力，能够在短时间内承受更高的脉冲电流，增强了系统的容错能力。
　　61521还具备良好的抗静电放电（ESD）能力，典型人体模型（HBM）耐压可达2kV以上，提升了器件在制造和使用过程中的安全性。此外，其符合RoHS指令，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环保的要求。综合来看，61521凭借其低Rds(on)、高电流密度、快速开关响应和紧凑封装，在便携式电源管理领域展现出强大的竞争力。

应用

61521广泛应用于各类低压直流电源管理系统中，尤其适用于需要高效、小型化功率开关的场合。常见应用包括便携式消费类电子产品中的负载开关，例如智能手机和平板电脑中的LCD背光控制、摄像头模块供电管理以及外设电源切换等。在这些应用中，61521可以作为理想的开关元件，实现对不同功能模块的精确上电与断电控制，有效延长电池续航时间。
　　此外，该器件常用于同步降压型DC-DC转换器的整流侧或驱动侧，利用其低导通电阻减少能量损耗，提高转换效率。在电池供电系统中，如蓝牙耳机、可穿戴设备和移动电源中，61521可用于电池充放电路径的通断控制，起到防止反向电流和短路保护的作用。
　　在工业和通信领域，61521也适用于低电压电机驱动、继电器替代、LED驱动电路以及热插拔控制器中。其快速的开关响应能力使其能够适应高频PWM调光或调速控制需求。同时，由于其具备良好的温度稳定性和可靠性，也可用于环境条件较为严苛的小型嵌入式系统中。总体而言，61521因其高性能与小尺寸特性，成为现代低电压、高效率电源设计中的优选MOSFET之一。