类型：静态RAM（SRAM）
　　容量：128K x 8位
　　电压范围：2.3V ~ 3.6V
　　访问时间：55ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：TSOP
　　引脚数量：54
　　封装尺寸：8mm x 14mm
　　封装类型：TSOP-II
　　数据保持电压：1.5V（最小）
　　待机电流：10mA（典型）
　　工作电流：120mA（典型）

6125FA5ATR2 SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有出色的低功耗性能和高速访问能力。其访问时间仅为55纳秒，能够满足高速缓存和实时系统的需求。该器件支持宽电压范围（2.3V至3.6V），适应多种电源设计需求，并确保在不同工作环境下的稳定性。
　　该SRAM芯片还具备数据保持模式，在低电压（最低1.5V）下仍能保持数据完整性，适用于电池供电设备或需要长时间数据保留的应用场景。其TSOP封装形式提供了良好的散热性能和空间利用率，适合嵌入式系统和便携式设备使用。
　　6125FA5ATR2在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内运行，具备出色的温度适应能力，确保在恶劣环境下的稳定运行。该芯片广泛应用于通信模块、工业控制、网络设备、医疗仪器和消费电子设备中。

6125FA5ATR2主要应用于需要高速存储和低功耗的系统中，例如路由器、交换机、工业控制设备、医疗仪器、手持终端、嵌入式系统、通信模块和消费类电子产品。该SRAM芯片也可作为高速缓存、数据缓冲区或临时存储器使用，适用于需要快速数据访问的场景。

AS7C3128A-55BCTR、CY7C1041BV33-55BCTR、IS61LV128AL-55BLLI、MX6125FA5A、6125FA5A