时间：2025/12/26 23:27:22
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60R110XMR是一款由安森美（onsemi）推出的高性能N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的Trench沟道技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优异的热性能，适用于多种电源管理场景。60R110XMR中的型号命名通常表示其关键参数：60V的漏源击穿电压（VDS），典型导通电阻在110mΩ左右，XMR可能代表其封装形式或产品系列标识。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、电源管理系统以及消费类电子设备中。
该器件采用DPAK（TO-252）或类似的表面贴装封装，具有良好的散热能力和紧凑的外形尺寸，便于在空间受限的设计中使用。60R110XMR在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，并具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了系统在瞬态过压情况下的可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，适用于对环境要求较高的工业和消费类产品。
型号：60R110XMR
制造商：onsemi（安森美）
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：75A
脉冲漏极电流（IDM）：300A
导通电阻（RDS(on)）max @ VGS = 10V：110mΩ
导通电阻（RDS(on)）typ @ VGS = 10V：100mΩ
阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4V
输入电容（Ciss）：4000pF
输出电容（Coss）：1300pF
反向传输电容（Crss）：150pF
栅极电荷（Qg）：85nC
上升时间（tr）：45ns
下降时间（tf）：35ns
工作结温范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：DPAK（TO-252）
60R110XMR采用先进的Trench沟道MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提升整体系统效率。其110mΩ的最大RDS(on)使得在大电流条件下仍能保持较低的功耗，减少发热，提高系统的热稳定性。该器件在VGS=10V时即可实现完全导通，适合与标准逻辑电平驱动电路配合使用，兼容常见的PWM控制器输出信号。
该MOSFET具有出色的开关性能，得益于其优化的栅极结构和低栅极电荷（Qg=85nC），能够实现快速的开关动作，减少开关损耗，特别适用于高频开关电源应用，如同步降压转换器和半桥拓扑结构。同时，其输入电容和反向传输电容较小，有助于降低驱动电路的负担，提高系统的响应速度和稳定性。
60R110XMR具备优良的热性能，采用DPAK封装，底部带有裸露焊盘，可有效将热量传导至PCB，增强散热能力。即使在高负载或高温环境下，也能维持可靠的运行。该器件还通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高压栅极应力（HV-GS）和温度循环测试，确保在恶劣工况下的长期稳定性。
此外，该MOSFET具有较强的雪崩耐量，能够在电源异常或感性负载切换时承受瞬时过压冲击，防止器件损坏，提升系统鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于工业级和汽车级应用场景。整体设计兼顾效率、可靠性和成本，是现代高效电源系统中的理想选择之一。
60R110XMR广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。常见用途包括DC-DC降压和升压转换器，尤其是在多相供电架构中作为同步整流开关使用，以降低导通损耗并提高转换效率。该器件也适用于服务器电源、笔记本电脑适配器、LED驱动电源等高密度电源模块。
在电机控制领域，60R110XMR可用于直流无刷电机（BLDC）驱动器的功率级，实现高效的PWM调速控制。其快速开关特性和低导通电阻有助于提升电机效率并减少发热。
此外，该MOSFET还可用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS不间断电源以及家用电器中的电源控制单元。由于其符合RoHS标准且具备良好的EMI性能，也适用于消费类电子产品和绿色能源设备。
NTD60N03R2G
FQP60N06
STP60NF06
IRFZ44N
AO4407
