类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：60A
　　最大漏源电压 (Vds)：650V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.165Ω（最大值 0.215Ω）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-247、PG-TO220-3-11 等
　　功率耗散 (Ptot)：典型值 150W
　　栅极电荷 (Qg)：约 50nC（典型值）
　　反向恢复时间 (trr)：约 100ns

60R065PR 的核心优势在于其低导通电阻，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其导通电阻在最大工作电流下仍保持稳定，确保在高温下也能维持较低的功率损耗。
　　该器件采用了 Infineon 的 CoolMOS 技术，使得在高频开关应用中具备更低的开关损耗，适用于高频率开关电源设计。此外，其优异的热稳定性使得在高温环境下运行依然保持良好性能。
　　60R065PR 提供了良好的短路耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。其封装设计具备良好的散热性能，有助于快速将热量传导至散热片，降低结温，提高器件寿命。
　　该 MOSFET 还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在负载突变或瞬态过压条件下提供一定的保护作用，增强了系统的稳定性与安全性。

60R065PR 广泛应用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、工业自动化设备、电池充电器、光伏逆变器以及电动汽车的电源管理系统等。
　　在开关电源中，60R065PR 可作为主开关管使用，提供高效能的功率转换能力。在电机控制应用中，它可用于构建 H 桥电路，实现电机的正反转及调速功能。
　　由于其高频特性，该器件也常用于谐振变换器和 LLC 转换器中，以实现更高的效率和更小的磁性元件尺寸。此外，其在电池管理系统中可用于高侧或低侧开关，控制电池充放电过程。

IPW60R065CFD, STF60NM60N, FQA60N60, SPD13N60C3