型号：60R030SXU
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：650V
　　平均正向电流（IF(AV)）：30A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：198A（@ 60Hz, 半正弦波）
　　正向电压（VF）：1.7V（典型值，@ IF = 30A, Tj = 25°C）
　　漏电流（IR）：250μA（最大值，@ VRRM = 650V, Tj = 150°C）
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 15ns（几乎无反向恢复）
　　封装类型：TO-247-3
　　极性：单芯片，阴极引脚共接

60R030SXU采用第三代碳化硅肖特基势垒技术，具备优异的静态与动态电学性能。其核心优势在于零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这意味着在高频开关应用中不会产生额外的开关损耗，同时避免了因反向恢复引起的电压振荡和电磁干扰问题，提升了系统整体效率和稳定性。该器件的正向压降较低且随温度变化较小，在全工作温度范围内保持稳定的导通性能，有助于降低热管理难度。其宽禁带半导体材料（SiC）赋予其出色的耐高温能力，可在高达175°C的结温下持续工作，远超传统硅二极管的极限。这种高温耐受性使其适用于密闭空间或强制风冷受限的应用场景。
　　此外，60R030SXU具有极低的漏电流特性，即使在高温高压条件下也能维持良好的阻断能力，确保系统在待机或轻载状态下的低功耗表现。TO-247-3封装提供了优良的散热路径和电气连接可靠性，支持高功率密度设计。该封装还具备较高的爬电距离和电气隔离能力，满足工业安全标准要求。器件的制造过程遵循严格的品质控制流程，通过AEC-Q101等可靠性认证，适用于对长期稳定性和耐用性要求严苛的工业与汽车电子系统。其稳健的设计也使其能够承受多次热循环冲击，具备良好的抗热疲劳性能。总的来说，60R030SXU凭借其高效、高速、高可靠性的综合优势，成为现代高功率电源系统中的理想选择。

60R030SXU广泛用于各类高效率电力电子系统中。在光伏逆变器中，它常被用作续流二极管或升压电路中的整流元件，利用其低损耗特性提升整体能效，尤其在最大功率点跟踪（MPPT）过程中发挥关键作用。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，该器件可用于PFC（功率因数校正）级或DC-DC变换器中，实现高频高效运行，减小磁性元件体积。在数据中心服务器电源和通信电源中，60R030SXU可作为输出整流二极管，配合GaN或SiC MOSFET构建全碳化硅功率回路，显著提高电源效率至96%以上。此外，在工业电机驱动器中，它可用于制动单元或辅助电源整流，提供快速响应和稳定性能。UPS系统中也大量采用此类器件以提升转换效率并延长电池续航时间。由于其优异的热性能和小型化潜力，60R030SXU特别适合于追求小型化、轻量化和高功率密度的现代电源设计方案。

IDH03G65C6XKSA1
　　CSD03060A