时间：2025/12/26 22:21:45
阅读：15
60R020XPR是一款由安森美（onsemi）推出的高性能碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode），专为高效率、高频率和高温工作环境下的电力电子应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具有优异的热稳定性和电气性能，适用于诸如开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及工业电机驱动等高端功率转换系统。60R020XPR的命名中，“60”代表其最大重复反向电压为600V，“020”表示其典型正向电流能力为20A，“XPR”为产品系列标识，表明其属于高性能碳化硅二极管家族。该器件封装在D3PAK或类似高功率密度封装中，具备良好的热传导性能，支持通孔安装，便于在高功率密度设计中实现高效散热。作为一款无反向恢复电荷的肖特基型二极管，60R020XPR在高频开关应用中显著降低了开关损耗，提升了整体系统效率，并减少了电磁干扰（EMI）问题。此外，该器件可在高达175°C的结温下持续工作，展现出卓越的热可靠性，适合在严苛工业环境中长期运行。
类型：碳化硅肖特基二极管
最大重复反向电压（VRRM）：600V
平均正向整流电流（IF(AV)）：20A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A（半正弦波，8.3ms）
正向电压降（VF）：典型值1.45V（在20A，TJ=25°C）
反向漏电流（IR）：典型值0.2mA（在600V，TJ=25°C），最大5mA（在600V，TJ=150°C）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
热阻结至外壳（RθJC）：约1.0°C/W
封装形式：D3PAK（TO-252AA）
安装类型：通孔（Through-Hole）
反向恢复时间（trr）：无（理想肖特基行为）
零偏压电容（Cj）：典型值110pF（在0V，f=1MHz）
60R020XPR的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料的物理特性，使其在高温、高压和高频条件下仍能保持出色的性能表现。与传统的硅基PIN二极管相比，该器件没有少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流尖峰，从根本上消除了开关过程中的能量损耗和电压振荡问题。这一特性极大提升了在高频率开关电源中的效率，尤其是在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）的功率因数校正电路中，能够显著降低主开关管（如MOSFET或IGBT）的开通应力，延长器件寿命并提升系统可靠性。此外，由于碳化硅材料具有更高的禁带宽度（~3.2eV），60R020XPR在高温下的反向漏电流控制优于硅器件，即使在150°C以上的工作温度下，漏电流仍保持在可接受范围内，避免了热失控风险。
该器件还具备优异的热传导性能和机械稳定性，D3PAK封装设计允许通过散热片有效传导热量，降低热阻，确保长时间高负载运行时的温度可控性。同时，60R020XPR符合RoHS和REACH环保标准，不含铅和有害物质，适用于全球范围内的绿色电子产品制造。其坚固的封装结构也增强了抗湿性和机械耐久性，适合在恶劣工业环境中部署。在动态性能方面，尽管SiC肖特基二极管仍存在一定的结电容，在高频下会产生位移电流，但整体开关行为远优于传统硅快恢复二极管。此外，该器件对dv/dt和di/dt的耐受能力强，配合适当的PCB布局和栅极驱动设计，可实现更平稳的电流切换过程，减少EMI辐射，简化滤波电路设计。这些综合特性使60R020XPR成为现代高效能电源系统中不可或缺的关键元件。
60R020XPR广泛应用于各类高效率、高可靠性的电力电子系统中。在通信电源和服务器电源领域，它常用于有源功率因数校正（PFC）升压级，作为升压二极管，因其低正向压降和零反向恢复特性，可大幅提升电源转换效率，满足80 PLUS钛金等高能效认证要求。在太阳能光伏逆变器中，该器件被用于直流侧防反接或辅助电源整流电路，能够在高温户外环境下长期稳定运行，提升系统整体发电效率和可靠性。在电动汽车（EV）和充电桩系统中，60R020XPR可用于车载充电机（OBC）或直流快充模块的次级整流环节，支持高频软开关拓扑，如LLC谐振变换器，帮助减小磁性元件体积并提高功率密度。此外，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）和感应加热设备中，该器件也常用于续流、钳位和整流功能，特别是在需要频繁启停和高动态响应的应用中表现出色。其宽温度工作范围和高耐压能力使其适用于各种恶劣工况下的电力转换场景，是替代传统硅快恢复二极管的理想选择。
FFSH2060A
CMF04060D
STPSC20H065Y}
Vincotech AC-DC PIM模块集成该类型二极管
