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60R017XU 发布时间 时间:2025/12/26 23:27:13 查看 阅读:9

60R017XU是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的高性能功率MOSFET器件,专为高效率电源转换系统设计。该器件基于先进的超结(Superjunction)技术,采用CoolMOS?系列架构,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于需要高功率密度和高能效的应用场景。60R017XU的额定电压为650V,典型导通电阻仅为170mΩ,使其在硬开关和软开关拓扑中均表现出色。该器件封装于TO-247-3L形式,具有良好的散热能力和高可靠性,适合在高温环境下长时间运行。其优化的栅极结构降低了开关损耗,同时提升了抗雪崩能力和电磁兼容性(EMC),广泛应用于服务器电源、通信电源、工业电源以及光伏逆变器等高端电力电子设备中。
  作为一款N沟道增强型MOSFET,60R017XU在设计上兼顾了动态与静态性能的平衡。其漏源击穿电压(BVDSS)高达650V,确保在瞬态过压条件下仍能保持稳定工作。此外,器件内部集成了快速体二极管,支持反向电流续流,在LLC谐振变换器和有源钳位电路中表现优异。由于采用了先进的制造工艺,60R017XU在批量生产中具有一致性和高良率,便于系统制造商进行大规模应用集成。

参数

型号:60R017XU
  制造商:Infineon Technologies
  产品系列:CoolMOS? CFD7
  晶体管类型:N沟道,金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)
  漏源电压(VDS):650 V
  漏源导通电阻(RDS(on)):170 mΩ(最大值,@ ID=20A, VGS=10V)
  连续漏极电流(ID):48 A(@ TC=25°C)
  脉冲漏极电流(IDM):192 A
  栅源阈值电压(VGS(th)):3.0 V 至 4.0 V
  栅极电荷(Qg):85 nC(典型值,@ VDS=480V, ID=24A)
  输入电容(Ciss):2580 pF(@ VDS=50V)
  反向恢复时间(trr):45 ns
  最大工作结温(Tj):150 °C
  封装类型:TO-247-3L
  安装方式:通孔(Through Hole)

特性

60R017XU的核心优势在于其基于CoolMOS? CFD7技术平台所实现的卓越电性能与热管理能力。该器件采用超结结构,通过精确控制P型和N型掺杂区域的交替排列,显著降低了漂移区电阻,从而实现了极低的导通损耗。相比传统平面型或沟槽型MOSFET,60R017XU在相同电压等级下拥有更低的RDS(on),这意味着在大电流工况下功耗更小,系统效率更高。尤其在连续导通模式(CCM)PFC电路或LLC半桥拓扑中,这种低导通电阻可有效减少发热,提升整体能效至95%以上。
  该器件的动态特性同样出色。其栅极电荷(Qg)仅为85nC,表明驱动所需能量较少,有助于降低驱动电路的设计复杂度并减少驱动损耗。同时,较低的输出电容(Coss)和反馈电容(Crss)使得器件在高频开关应用中具备更快的响应速度和更小的开关损耗。这对于现代高频率、高功率密度电源设计至关重要,例如用于数据中心服务器电源或5G基站电源模块中,能够在提高开关频率的同时维持较高的转换效率。
  在可靠性方面,60R017XU经过严格测试,具备出色的抗雪崩能力(Unclamped Inductive Switching, UIS),可在异常工况下承受瞬时过压冲击而不发生永久性损坏。其体二极管具有较短的反向恢复时间(trr ≈ 45ns),减少了反向恢复电荷(Qrr),从而抑制了电压尖峰和电磁干扰(EMI),提高了系统的稳定性与EMC性能。此外,TO-247-3L封装提供了优良的热传导路径,配合散热器可将结温有效控制在安全范围内,延长器件寿命。
  值得一提的是,60R017XU还针对现代绿色能源和节能标准进行了优化,符合RoHS和REACH环保规范,并支持宽范围输入电压下的稳定运行。其高度集成化的设计减少了外围元件数量,简化了PCB布局,提升了系统整体可靠性。工程师在使用该器件时,可通过合理设计栅极驱动电阻和散热结构,进一步挖掘其性能潜力,实现高效、紧凑且可靠的电源解决方案。

应用

60R017XU广泛应用于各类高效率、高功率密度的开关电源系统中。其主要应用场景包括通信电源整流模块,特别是在48V转12V的中间母线架构中,作为主开关管用于DC-DC变换器,能够有效提升转换效率并降低温升。在服务器和数据中心电源供应单元(PSU)中,该器件常用于有源功率因数校正(PFC)级和后级LLC谐振转换器,满足80 PLUS钛金等高能效认证要求。
  在工业电源领域,60R017XU适用于大功率工业适配器、焊接设备电源以及激光电源系统。其高耐压和低损耗特性使其能够在恶劣工业环境中长期稳定运行。此外,在新能源发电系统中,如光伏(PV)微型逆变器和储能系统中的DC-AC逆变电路,该MOSFET也发挥着关键作用,帮助实现更高的能量利用率和更低的系统成本。
  其他潜在应用还包括电动汽车充电基础设施中的车载充电机(OBC)辅助电源、UPS不间断电源系统、高端家电变频器(如空调压缩机驱动)以及高亮度LED驱动电源。在这些应用中,60R017XU凭借其优异的开关性能和热稳定性,成为设计师优选的功率开关器件之一。随着对能源效率和碳排放要求的不断提高,该器件在未来智能电网、边缘计算设备电源等领域也将持续拓展其应用空间。

替代型号

IPP60R017C7
  IPA60R017C7
  IKW60R017KS

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60R017XU参数

  • 标准包装500
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭PTC 可复位保险丝
  • 系列POLYFUSE® 60R
  • 电流 - 维持(Ih)170mA
  • 电流 - 跳闸(It)340mA
  • 电流 - 最大40A
  • 电压 - 最大60V
  • R最小/最大3.300 ~ 8.000 欧姆
  • 跳闸时间3s
  • 封装/外壳径向 - 圆盘形
  • 包装散装
  • 其它名称060R0017060R0017U60R017F2001