类型：N沟道MOSFET
　　极性：增强型
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：60A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：240A
　　最大功耗（Ptot）：300W（Tc=25°C）
　　导通电阻Rds(on)：0.11Ω（@Vgs=10V, Id=30A）
　　阈值电压（Vth）：3.0V ~ 4.5V
　　输入电容（Ciss）：5000pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：180pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220FP、TO-247

60NM60具备卓越的电气特性和热稳定性，其核心优势在于高电压阻断能力和低导通电阻的结合，使得器件在600V高压条件下仍能实现高效的能量转换。该MOSFET采用意法半导体成熟的平面工艺技术，确保了良好的器件均匀性和批次一致性，从而提升了整体系统的可靠性。其低Rds(on)值有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率，尤其适合用于高负载持续工作的场合。
　　该器件具有较快的开关速度，得益于优化的栅极结构设计，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关过程中的交越损耗。同时，其输入电容和输出电容经过精心匹配，有助于减少驱动电路的负担，并降低电磁干扰（EMI）的影响。内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr约为35ns），可有效防止在感性负载切换时产生过高的电压尖峰，保护器件免受损坏。
　　60NM60还具备出色的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下吸收一定的能量而不发生永久性失效，增强了系统的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于恶劣环境下的工业控制设备和户外电源系统。此外，TO-220FP和TO-247封装提供了优良的散热路径，配合合适的散热片使用，可以显著提升器件的长期运行稳定性。所有这些特性共同使60NM60成为高性能电源设计中的理想选择。

60NM60广泛应用于各类需要高效、高可靠性的电力转换系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如计算机电源、服务器电源和电信整流模块，在这些应用中，它作为主开关管或同步整流器件发挥作用，提供高效率的能量传输。在AC-DC和DC-DC转换器中，该MOSFET用于PWM控制拓扑结构，例如反激式、正激式、LLC谐振变换器和双管正激电路，能够承受高压输入并实现快速响应。
　　此外，60NM60也常用于电子镇流器和LED驱动电源中，特别是在高功率照明系统中，其高耐压和低损耗特性有助于延长灯具寿命并提高光效。在工业电机驱动领域，该器件可用于小型逆变器或马达控制模块中，执行直流到交流的转换任务。太阳能逆变器和UPS不间断电源系统也是其典型应用场景，其中对器件的可靠性和耐久性要求极高。
　　由于其强大的电流承载能力和良好的热性能，60NM60还可用于电池管理系统（BMS）、电焊机电源以及感应加热设备中。无论是在消费类电子产品还是工业自动化设备中，只要涉及高压、大电流的开关操作，60NM60都能提供稳定且高效的解决方案。其广泛应用证明了其在现代电力电子技术中的重要地位。

STW60N60M2
　　STP60N60FP
　　FQA60N60
　　K2560