时间：2025/7/23 16:28:23
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60N75 是一款常用的功率场效应晶体管（Power MOSFET），通常用于高功率和高频开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压、快速开关速度等优点，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、逆变器等多种电子系统。该MOSFET的命名规则中，“60”表示其最大漏极电流为60A，“75”表示其漏源极击穿电压为750V。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
漏源极电压（VDS）：750V
栅源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值约为0.2Ω（不同厂商略有差异）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247、TO-264等
60N75 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗和发热；高耐压能力，使其适用于高压电源系统；具备良好的热稳定性和可靠性，适用于高温环境下运行；开关速度快，提高了在高频开关电源中的效率；内置体二极管，适用于需要反向续流的场合，如电机驱动和开关电源中的能量回馈；封装设计便于散热，适用于高功率密度的设计场景。
60N75 主要应用于开关电源（SMPS）、高压DC-DC转换器、逆变器、UPS不间断电源、电机控制电路、LED照明电源、电动车充电器、太阳能逆变器以及各类高功率电子设备中。由于其高耐压和大电流能力，该器件在工业自动化、电力电子变换系统中也有广泛使用。
STF75N75, FDPF60N75F, IRGP60B75D1, STW75N75
