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60N06 发布时间 时间:2025/7/23 13:39:27 查看 阅读:8

60N06 是一款常用的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等高功率场合。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和高耐压特性,能够在较高的频率下工作,提高系统的整体效率。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):约0.018Ω(典型值)
  最大功耗(Pd):160W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-220、D2PAK、TO-263(表面贴装)等

特性

60N06 MOSFET具备多项优良特性,使其适用于高功率和高频应用。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))能够显著降低导通损耗,提高转换效率,特别适合用于同步整流和DC-DC降压/升压变换器。
  其次,该器件的高电流承载能力(高达60A)使其适用于电机驱动、电源管理和电池充电等大电流应用场景。
  此外,60N06具备良好的热稳定性和快速开关性能,能够减少开关损耗并提高系统响应速度。
  其栅极驱动电压范围较宽,通常可由标准的5V或10V驱动电路控制,便于与各种控制芯片(如PWM控制器)配合使用。
  在封装方面,60N06提供TO-220、TO-263等常见封装形式,便于安装和散热设计,适合不同类型的PCB布局和散热需求。
  最后,该MOSFET具有良好的短时过载能力,能够在瞬态负载条件下保持稳定运行,提升系统的可靠性和耐用性。

应用

60N06 MOSFET常用于以下领域:
  1. **开关电源**:如AC-DC适配器、PC电源、服务器电源等,作为主开关或同步整流元件,提升效率。
  2. **DC-DC转换器**:在升降压(Buck-Boost)、降压(Buck)和升压(Boost)电路中作为功率开关器件。
  3. **电机控制与驱动**:用于直流电机、步进电机和伺服电机的H桥驱动电路中,实现高效调速和方向控制。
  4. **负载开关与电源管理**:在电池供电系统、UPS(不间断电源)和电源管理系统中用作高电流开关元件。
  5. **工业控制与自动化设备**:如PLC、变频器、工业电源模块等,用于高可靠性开关控制。
  6. **汽车电子**:如车载充电器、电动工具、车载逆变器等高功率应用场景。

替代型号

IRFZ44N, FDP60N06, FQP60N06, STP60NF06, NTD60N06L

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60N06参数

  • 现有数量3,338现货
  • 价格1 : ¥5.96000剪切带(CT)2,500 : ¥2.29972卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)17 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)50 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2050 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)85W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63