60N03L 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的N沟道功率MOSFET,常用于电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和高开关速度,适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等应用场景。60N03L采用TO-220封装,便于散热,适用于各种中高功率电子系统。
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):最大4.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-220
功率耗散(Pd):170W
60N03L的主要特性之一是其非常低的导通电阻(Rds(on)),在Vgs=10V时仅为4.5毫欧,这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。此外,该MOSFET具有高电流承载能力,最大连续漏极电流可达60A,适用于高功率密度设计。
该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于提高开关速度并减少开关损耗,适用于高频开关应用。60N03L还具有良好的热稳定性,能够在高达175°C的结温下稳定工作,适应严苛的环境条件。
内置的体二极管具有快速恢复特性,可在反向电流应用中提供良好的性能。TO-220封装提供了良好的散热性能,便于与散热片配合使用,适合中高功率应用的需求。
60N03L广泛应用于各类电源管理系统中,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。由于其低导通电阻和高电流能力,该MOSFET特别适用于需要高效能和高可靠性的电源设计。
在工业自动化和电机控制领域,60N03L可用于驱动直流电机、继电器和电磁阀等负载。在电池管理系统中,它可用于电池充放电控制和保护电路。此外,该器件也适用于UPS(不间断电源)、电源适配器、LED驱动器和开关电源(SMPS)等应用场合。
IRF1405, FDP6030L, SiS60N03, IPW60N03C