60N03GH 时间：2025/8/25 3:11:21 阅读：3

60N03GH 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效开关性能的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高功率密度以及良好的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。60N03GH 采用先进的封装技术，确保了在高电流下的稳定性和可靠性。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.9mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：LFPAK56（双侧散热）

特性

60N03GH MOSFET 具有多种优异的电气和热性能，能够满足高功率密度和高效能系统设计的需求。首先，其最大漏源电压为 30V，支持在中等电压范围内使用，适用于如电池供电系统、电源适配器等应用场景。漏极连续电流能力高达 60A，使得该器件能够在高电流负载下稳定工作，同时具备良好的过载承受能力。
　　该器件的导通电阻非常低，典型值为 2.9mΩ，在 10V 栅源电压下可实现高效的导通状态，从而降低功率损耗，提高系统效率。这对于需要高效能转换的 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关应用尤为重要。
　　60N03GH 采用 LFPAK56 封装，这是一种无引脚、双侧散热的封装形式，有助于提升热性能，降低热阻，确保在高功率工作下的稳定性和可靠性。其封装设计也符合现代电子制造对小型化和高密度组装的要求。
　　此外，该器件的工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，具备良好的环境适应性，适用于汽车电子、工业控制、消费电子等多种领域。其高可靠性和稳健的设计也使其能够应对严苛的工作条件。