时间：2025/12/26 21:16:51
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60CTQ045PBF是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用中心抽头双二极管配置，专为高频开关电源应用设计。该器件具有低正向压降和快速反向恢复特性，适用于高效率的DC-DC转换器、同步整流以及AC-DC电源系统。60CTQ045PBF的封装形式为TO-220AB，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在工业级温度范围内工作。该二极管的最大重复峰值反向电压为45V，平均整流电流可达60A，因此在大电流、低电压输出的应用中表现出色。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅（Pb-free）设计使其适用于现代绿色电子产品制造。
作为一款高性能功率肖特基二极管，60CTQ045PBF广泛应用于服务器电源、电信设备、计算机主板供电系统以及便携式电子设备的电源模块中。其结构优化减少了寄生电感和电阻，提升了整体能效并降低了热损耗。由于采用了先进的芯片工艺和封装技术，该器件能够在高温环境下稳定运行，同时具备较强的抗浪涌能力，确保在瞬态负载变化下的可靠性。
类型：中心抽头双肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：45V
最大直流阻断电压（VR）：45V
平均整流电流（IO）：60A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A
最大正向压降（VF）：0.57V @ 30A, Tc=125°C
每芯片最大正向电流：30A
反向漏电流（IR）：0.5mA @ 45V, Ta=25°C；10mA @ 45V, Ta=125°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
封装：TO-220AB
安装方式：通孔（Through Hole）
引脚数：3
是否符合RoHS：是
60CTQ045PBF的核心优势在于其低正向导通压降与高电流承载能力的结合，这使得它在大功率、高效率电源转换应用中表现卓越。该器件采用肖特基势垒技术，利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低正向压降（VF），通常在30A电流下仅为0.57V左右，大幅减少导通损耗，提升系统能效。这种低VF特性对于低压大电流输出的DC-DC变换器尤为重要，例如在为CPU或GPU供电的VRM（电压调节模块）中，能够有效控制温升，延长系统寿命。
该器件为双共阴极（中心抽头）配置，等效于两个阳极相连的肖特基二极管，非常适合用于全波整流电路，尤其是在次级侧同步整流拓扑中，简化了PCB布局并减少了元件数量。其高达60A的平均整流电流能力得益于内部并联结构设计，每个芯片可承受30A电流，并通过优化的热路径将热量高效传导至散热器，保证在高负载条件下仍能稳定运行。
60CTQ045PBF具有极快的开关速度，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，几乎不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间（trr）极短，接近于零。这一特性极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适合工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源应用。此外，低反向恢复电荷（Qrr）也降低了对驱动电路的压力，有助于提高整体系统的动态响应性能。
该器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，表明其具备优异的热稳定性，可在严苛环境条件下可靠运行。TO-220AB封装不仅提供了良好的电气隔离，还便于安装散热片以进一步增强散热能力。同时，器件通过AEC-Q101认证，满足汽车级可靠性要求，拓展了其在车载电源系统中的应用潜力。
60CTQ045PBF主要应用于需要高效率、大电流整流的电源系统中。典型应用场景包括通信电源、服务器PSU、工业电源模块以及高端计算设备的DC-DC转换器。在这些系统中，该器件常被用作次级侧同步整流元件，替代传统快恢复二极管，以降低功耗并提高转换效率。尤其在低压大电流输出（如3.3V、5V、12V）的AC-DC适配器和砖式电源模块中，其低正向压降特性可显著减少热损耗，提升功率密度。
在分布式电源架构中，60CTQ045PBF可用于中间母线转换器（IBC）的输出整流阶段，支持高频率操作，有助于缩小磁性元件体积，实现紧凑型设计。此外，在太阳能逆变器、UPS不间断电源和电池充电管理系统中，该器件也可作为防反接或能量回馈路径中的关键组件。
由于其高浪涌电流耐受能力（可达180A），60CTQ045PBF在启动或负载突变等瞬态工况下仍能保持稳定，避免因过流导致的早期失效。这一特性使其适用于电动工具、家电电源和工业控制设备中的开关模式电源（SMPS）。
在汽车电子领域，尽管该型号未明确标注为车规级，但其宽温度范围和高可靠性使其可应用于车载DC-DC转换器、辅助电源单元等非主驱系统中。此外，该器件还可用于LED驱动电源、医疗设备电源等对能效和稳定性有较高要求的场合。
MBR60H45CG
MUR6045CT
