600L4R7CT200T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高效率和良好的热性能。其封装形式通常为表面贴装类型,适合自动化生产和高密度设计需求。
该器件能够在高频开关应用中提供卓越的性能表现,同时具备出色的耐压特性和快速开关速度,从而减少了开关损耗并提高了整体系统效率。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:4.7A
导通电阻:70mΩ
栅极电荷:19nC
反向恢复时间:85ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
600L4R7CT200T 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,额定漏源电压高达 600V,适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(70mΩ),可有效降低传导损耗,提高效率。
3. 快速开关性能,具有较小的栅极电荷和反向恢复时间,减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性,在高温环境下依然能够保持稳定的性能输出。
5. 小型化封装设计,便于在紧凑型电路板上进行布局。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
这款功率 MOSFET 芯片适用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. LED 照明系统的恒流驱动电路。
5. 各类工业控制设备中的功率开关。
6. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
600L4R7CT250T, 600L4R7CT300T