600L2R2AW200T 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,属于增强型场效应晶体管(eGaN FET)。它主要应用于高效率、高频开关场景。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高电压下实现优异的性能表现。其设计适用于电源转换器、DC-DC变换器、电机驱动器以及其他需要高功率密度的应用领域。
600L2R2AW200T 的命名规则包含了关键参数信息:600 表示最大耐压为 600V;L2R2A 指的是导通电阻为 2.2mΩ(典型值);W200 表示封装形式为 200mil 尺寸;T 则代表它是采用表面贴装的封装方式。
额定电压:600V
额定电流:80A
导通电阻:2.2mΩ(典型值)
栅极电荷:14nC(典型值)
反向恢复时间:无(由于 GaN 技术,没有传统二极管的反向恢复问题)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:表面贴装 (200mil)
600L2R2AW200T 具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:能够承受高达 600V 的电压,适用于多种工业级高压应用。
2. 极低导通电阻:2.2mΩ 的典型导通电阻使得导通损耗大幅降低,提升了整体效率。
3. 快速开关速度:由于氮化镓材料的独特优势,该器件可以实现非常高的开关频率,从而减小了系统中的磁性元件体积。
4. 零反向恢复损耗:与传统的硅 MOSFET 不同,这款 GaN 器件没有体二极管反向恢复带来的额外损耗。
5. 高温稳定性:即使在极端高温环境下也能保持良好的性能,适用于恶劣的工作条件。
6. 小尺寸封装:采用 200mil 表面贴装封装,节省了 PCB 空间,有助于实现更高的功率密度。
600L2R2AW200T 广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,提升转换效率和功率密度。
2. 电机驱动:适用于工业电机控制和电动车驱动系统。
3. 太阳能逆变器:用于光伏系统的 DC-AC 转换,提高能量转换效率。
4. 无线充电:支持高频操作,优化无线充电解决方案。
5. 数据中心电源:助力数据中心服务器电源实现更高的效率和更紧凑的设计。
6. 充电器和适配器:为快充设备提供高效的功率转换方案。
600L2R5AW200T, 600L2R8AW200T