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600L0R2BT200T 发布时间 时间:2025/7/3 12:03:22 查看 阅读:8

600L0R2BT200T是一款基于硅技术的高压MOSFET器件,主要用于功率转换和开关应用。该器件采用TO-247封装形式,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,适用于工业、汽车以及消费电子领域的多种场景。
  该芯片内部采用了先进的沟槽式MOSFET结构设计,优化了热性能和电气性能,使其在高频开关应用中表现出色。同时,它具备较低的栅极电荷和输出电容,从而提高了整体效率并减少了开关损耗。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:2.2mΩ
  栅极电荷:85nC
  总电容:1300pF
  工作结温范围:-55℃ to 175℃

特性

600L0R2BT200T的主要特性包括:
  1. 高击穿电压,能够承受高达600V的工作电压,适合高压环境下的使用。
  2. 低导通电阻设计(2.2mΩ),降低了传导损耗,提升了系统效率。
  3. 较低的栅极电荷和输出电容,有助于减少开关损耗,提高开关频率。
  4. 采用TO-247标准封装,具备良好的散热性能,易于集成到现有电路设计中。
  5. 工作温度范围广(-55℃至175℃),可在恶劣环境下稳定运行。

应用

这款MOSFET适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
  2. 电机驱动控制中的功率级开关。
  3. 太阳能逆变器内的功率转换模块。
  4. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统及车载充电器。
  5. 各种工业自动化设备中的功率管理单元。

替代型号

600L0R2BT200N, IRFB7440TRPBF, STW83N60DM2

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600L0R2BT200T参数

  • 现有数量3,312现货
  • 价格1 : ¥8.51000剪切带(CT)500 : ¥3.58430卷带(TR)
  • 系列ATC 600L
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容0.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用射频,微波,高频,旁通,去耦
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.040" 长 x 0.020" 宽(1.02mm x 0.51mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-