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5SGSMD5K2F40I2 发布时间 时间:2025/5/10 18:28:57 查看 阅读:10

5SGSMD5K2F40I2 是一款由富士通(Fujitsu)生产的半导体光耦合器,主要用于电气隔离和信号传输。该型号采用了光电二极管-晶体管对结构设计,具有高共模抑制比、低输入电流以及宽工作温度范围的特点,适合用于工业控制、通信设备和电源管理等应用领域。
  该芯片通过内部的发光二极管将电信号转换为光信号,再由光接收器将光信号还原为电信号,从而实现输入与输出端之间的电气隔离。此外,5SGSMD5K2F40I2 还支持较宽的工作电压范围,并提供较高的隔离耐压性能。

参数

型号:5SGSMD5K2F40I2
  制造商:富士通(Fujitsu)
  类型:半导体光耦合器
  封装:DIP-4/SO6
  输入正向电压(VF):1.2V(典型值)
  输入正向电流(IFT):1.6mA(最小值)至10mA(最大值)
  集电极-发射极击穿电压(BVCE):70V(最小值)
  隔离电压:5000Vrms(1分钟)
  工作温度范围:-40°C 至 +110°C
  存储温度范围:-55°C 至 +125°C
  响应时间(tr):8μs(最大值)
  截止时间(tf):1μs(最大值)

特性

5SGSMD5K2F40I2 具有以下主要特性:
  1. 高速传输能力:其响应时间和截止时间分别仅为8μs和1μs,能够满足快速信号传输的需求。
  2. 优异的电气隔离性能:该器件可以承受高达5000Vrms的隔离电压,适用于需要高安全性的应用场景。
  3. 宽广的工作温度范围:能够在-40°C至+110°C之间稳定运行,适合恶劣环境下的应用。
  4. 低输入电流要求:仅需1.6mA的最小输入电流即可保证正常工作,有助于降低功耗。
  5. 耐高压设计:集电极-发射极击穿电压达到70V,增强了产品的可靠性。
  6. 小型化封装:提供DIP-4和SO6两种封装形式,便于在紧凑空间内进行布局。

应用

5SGSMD5K2F40I2 广泛应用于以下领域:
  1. 工业自动化:用于可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口以及数据采集系统中的信号隔离。
  2. 电力电子:在开关电源、逆变器和电机驱动器中用作反馈信号隔离。
  3. 通信设备:如光纤收发模块、调制解调器等,用于保护电路免受干扰。
  4. 医疗设备:例如患者监护仪、超声波设备等,确保医疗仪器的安全性。
  5. 汽车电子:应用于车载网络系统中的信号隔离,保障行车安全。
  6. 消费类电子产品:例如家用电器的控制系统中,提供可靠的电气隔离功能。

替代型号

HCPL-0521, TLP291-4, PS2501-1

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