时间：2025/8/24 7:33:44
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5P0680是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能开关操作的电路中。这种器件通常用于电源转换、电机控制、逆变器以及其他需要高电流和高电压处理能力的应用。
类型: N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）: 60A
最大漏源电压（VDS）: 60V
最大栅源电压（VGS）: ±20V
导通电阻（RDS(on)）: 0.018Ω（典型值）
功率耗散（PD）: 160W
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
5P0680具有低导通电阻，这意味着它在导通状态下的功率损耗较小，从而提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有快速开关特性，使其适合高频操作。其高电流承载能力和良好的热性能使其成为苛刻环境下的可靠选择。器件采用了先进的平面技术，提供了增强的稳定性和耐用性。此外，5P0680还具备良好的短路耐受能力，能够在瞬态条件下提供额外的安全裕度。
由于其优异的电气特性和可靠性，5P0680适用于各种工业和消费类应用。在设计中使用该器件时，应注意散热设计，以确保器件能够在安全的工作温度范围内运行。
5P0680常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电池充电系统、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器以及需要高可靠性和高性能的工业自动化设备。
IRFZ44N, FDP6030L, STP60NF06
