类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：4.8 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：19.2 A
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：0.95 Ω（典型值）
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：1.15 Ω（最大值）
　　阈值电压（VGS(th)）@250μA：3.0 V（最小值）至4.5 V（最大值）
　　输入电容（Ciss）@25°C, 25V VDS：530 pF
　　输出电容（Coss）：170 pF
　　反向恢复时间（trr）：27 ns
　　栅极电荷（Qg）@10V VDS=480V：37 nC
　　功率耗散（PD）@25°C：125 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装：D2PAK（TO-263）

5NM65-SAQ采用了安森美的高压超级结（Super Junction）MOSFET技术，这项技术通过在硅片内部构建交替的P型和N型柱状结构，显著降低了器件的导通电阻与寄生电容之间的乘积（RDS(on) × Coss），从而实现了更低的导通损耗和开关损耗。这种结构使得在保持高击穿电压的同时，大幅提升了器件的效率表现。该MOSFET特别适用于连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）的功率因数校正（PFC）电路，能够有效减少热量产生，提升系统整体能效。
　　该器件具备出色的动态性能，其栅极电荷（Qg）仅为37nC（在VDS=480V时），这有助于减少驱动电路的功耗，并加快开关速度，从而适应高频开关应用的需求。同时，较低的输出电容（Coss）和输入电容（Ciss）减少了开关过程中的能量损耗，进一步提高了电源系统的转换效率。此外，5NM65-SAQ具有良好的体二极管反向恢复特性，反向恢复时间（trr）为27ns，配合较低的反向恢复电荷（Qrr），可有效降低在硬开关拓扑中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升系统的稳定性与可靠性。
　　在可靠性方面，5NM65-SAQ经过严格的设计和测试，具备高雪崩能量耐受能力（EAS），可在瞬态过压条件下安全运行，防止器件因电压突变而损坏。其最大栅源电压可达±30V，增强了对栅极驱动噪声的容忍度，避免误触发或栅氧层击穿。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于严苛的工业环境。D2PAK封装提供了优良的散热性能，支持表面贴装自动化生产，便于大规模制造。总体而言，5NM65-SAQ在性能、可靠性和热管理之间实现了良好平衡，是中等功率开关电源中的理想选择。

5NM65-SAQ广泛应用于各类高效率电源系统中，尤其是在需要高电压和高能效的场合。典型应用包括用于空调、洗衣机、服务器电源等设备中的连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）升压型功率因数校正（PFC）电路。在此类应用中，该MOSFET能够高效地实现交流输入电流的整形，提高电网利用率并减少谐波污染，符合IEC 61000-3-2等国际能效规范要求。此外，它也常用于各种类型的开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器和LED驱动电源，特别是在65W至300W功率范围内的离线式反激、正激或半桥拓扑结构中表现优异。
　　在工业电源领域，5NM65-SAQ可用于UPS不间断电源、逆变器和DC-DC转换模块中作为主开关器件，其高耐压和低损耗特性有助于提升系统效率并减小散热器尺寸。由于其具备良好的高温工作能力，因此也适用于密闭空间或通风不良环境下的电源设计。另外，在太阳能微逆变器和电池管理系统（BMS）中，该器件可用于直流侧开关控制，提供可靠的功率切换功能。得益于其稳定的开关特性和较强的抗干扰能力，5NM65-SAQ还能用于电机驱动电路中的高频斩波控制环节，尤其适用于小型家电和工业控制设备中的低功率电机驱动方案。总之，凡是需要在650V电压等级下实现高效、紧凑且可靠的功率转换场景，5NM65-SAQ都是一个极具竞争力的解决方案。

STP6NK60ZFP
　　FQP6N60C
　　KF6N60D