时间：2025/12/27 8:35:01
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5N90L-TQ2-R是一款由ONSEMI（安森美）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压工艺技术制造，专为高效率电源转换应用设计。该器件封装在紧凑的TSSOP-24热增强型封装中，并带有外露散热焊盘，有助于提高散热性能，适用于空间受限但对热管理有较高要求的应用场景。5N90L-TQ2-R的主要特点包括高击穿电压、低导通电阻以及优化的开关特性，能够在高频开关环境下保持较低的开关损耗和导通损耗，从而提升整体系统效率。该MOSFET的额定漏源击穿电压为900V，确保其可在高压条件下稳定工作，适用于AC-DC转换器、离线式开关电源（SMPS）、LED照明驱动电源、待机电源模块以及其他需要高压功率处理能力的工业和消费类电子设备。此外，该器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环境友好型元器件的需求。由于其集成多个MOSFET芯片于单一封装内，5N90L-TQ2-R可实现多路并联或级联控制功能，在复杂拓扑结构如准谐振反激变换器中表现出优异的性能。得益于安森美在功率半导体领域的深厚积累，5N90L-TQ2-R在可靠性、长期稳定性及抗雪崩能力方面均经过严格测试与验证，适合在严苛工作环境下长期运行。
型号：5N90L-TQ2-R
制造商：ON Semiconductor (安森美)
器件类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TSSOP-24（带裸露焊盘）
漏源击穿电压（BVDSS）：900V
栅源阈值电压（VGS(th)）：典型值5V，范围4.5V~6V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：1.2A
脉冲漏极电流（IDM）：4.8A
功耗（PD）：50W（基于PCB布局和散热条件）
导通电阻（RDS(on)）：典型值1.3Ω @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：典型值75nC
输入电容（Ciss）：典型值1100pF
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
引脚数量：24
安装方式：表面贴装（SMD）
5N90L-TQ2-R具备多项关键特性，使其成为高压电源应用中的理想选择。首先，其高达900V的漏源击穿电压确保了在面对输入电压波动或瞬态过压情况时仍能维持安全可靠的工作状态，尤其适用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下的离线式电源设计。其次，该器件采用了优化的硅基工艺，实现了较低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为1.3Ω，这显著降低了导通期间的能量损耗，提高了电源系统的整体能效。同时，较低的RDS(on)也减少了发热，有助于延长器件寿命并降低散热设计难度。
该MOSFET还具有良好的开关特性，包括适中的栅极电荷（Qg ≈ 75nC）和输入电容（Ciss ≈ 1100pF），使得驱动电路的设计更为简便，并能在高频开关操作下有效控制开关损耗。这对于追求小型化和高效率的现代开关电源尤为重要。此外，TSSOP-24封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且其内置的热增强设计通过外露焊盘将热量高效传导至PCB，提升了热稳定性。
5N90L-TQ2-R还集成了多种保护机制，例如优秀的抗雪崩能力和稳健的栅氧层设计，增强了器件在异常工况下的耐受性。它支持多种拓扑结构，包括反激、正激和半桥等，广泛用于待机电源、充电器、适配器和LED驱动器中。由于其高度集成化设计，内部可能包含多个MOSFET单元或辅助控制电路，进一步简化外部元件需求。最后，该器件符合工业级可靠性标准，经过高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等多项可靠性测试，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。
5N90L-TQ2-R主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高电压耐受能力和高效率转换的场合。典型应用包括离线式反激变换器，常用于电视、显示器、路由器等家用电器的主电源或待机电源模块。由于其900V的高击穿电压，特别适合用于准谐振（QR）或连续导通模式（CCM）反激拓扑，能够有效提升轻载和满载条件下的转换效率。此外，该器件也被广泛用于LED照明驱动电源，特别是在高亮度LED街灯、工业照明和商业照明系统中，提供稳定的直流输出并支持PFC（功率因数校正）前级配合使用。
在消费电子领域，5N90L-TQ2-R可用于笔记本电脑适配器、手机快充充电器以及智能家居设备的电源部分，凭借其小尺寸封装和良好热性能，满足便携设备对小型化和高密度电源设计的需求。在工业应用方面，该器件适用于工业电源模块、PLC电源单元、传感器供电系统等，能够在宽温范围和复杂电磁环境中稳定运行。另外，由于其具备良好的EMI性能和开关可控性，也可用于设计低噪声电源系统。值得一提的是，该器件还可用于电池充电系统、DC-DC转换器的初级侧开关以及太阳能微逆变器中的功率级，展现出广泛的适应性和工程灵活性。
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