型号：5N65KG-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（V(BR)DSS）：650 V
　　最大漏极电流（ID）：4.8 A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：19.2 A
　　最大栅源电压（VGSS）：±20 V
　　最大漏源导通电阻（RDS(on)）：1.2 Ω @ VGS = 10 V
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0 V ~ 4.5 V
　　栅极电荷（Qg）：17 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：520 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：30 ns
　　最大功耗（PD）：50 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：PowerDI5060-8L
　　安装方式：表面贴装（SMD）

5N65KG-TN3-R采用了安森美专有的超级结（Super Junction）技术，这项技术通过在硅片内部构建交替排列的P型和N型柱状结构，显著降低了器件的导通电阻与寄生电容之间的权衡关系，从而实现了在650V高耐压下仍具备极低的RDS(on)值。这种结构不仅提升了器件的导电效率，还有效减少了功率损耗，尤其在高频开关应用中表现优异。该MOSFET的RDS(on)仅为1.2Ω，在同类产品中处于领先水平，能够有效减少导通阶段的能量损耗，提升电源系统的整体能效。
　　此外，5N65KG-TN3-R具有出色的动态性能参数。其栅极电荷（Qg）低至17nC，意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化驱动设计并降低驱动芯片的成本。同时，较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）使得器件在快速开关过程中产生的位移电流更小，进一步减少了开关损耗，提高了电源转换效率。这对于需要高频率工作的反激式变换器（Flyback Converter）、LLC谐振变换器或有源钳位反激拓扑尤为重要。
　　该器件还具备良好的热稳定性和可靠性。PowerDI5060-8L封装采用底部散热设计，能够有效将芯片产生的热量传导至PCB，提升散热效率，避免局部过热导致的性能下降或失效。该封装尺寸紧凑，仅5.0mm x 6.0mm，适合高密度布局的PCB设计，广泛应用于适配器、充电器、电视电源板和LED恒流驱动电源中。此外，5N65KG-TN3-R经过严格的老化测试和雪崩测试，具备较强的抗过压和抗瞬态冲击能力，能够在恶劣的电气环境中稳定运行，延长终端产品的使用寿命。

5N65KG-TN3-R广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高效能、小体积设计的场合。典型应用包括智能手机、笔记本电脑和家用电器的AC-DC适配器与充电器，其中它常被用作主开关管或有源钳位开关，以实现高效率的能量转换。在LED照明领域，该器件可用于隔离式恒流驱动电源，特别是在80W以下的高亮度LED路灯、商业照明和工业照明系统中表现出色。此外，5N65KG-TN3-R也适用于工业电源模块、辅助电源（Auxiliary Power Supply）以及小型UPS不间断电源设备。
　　由于其具备高耐压和低导通损耗的特性，该MOSFET非常适合用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振变换器等拓扑结构。在这些电路中，5N65KG-TN3-R能够在65kHz至500kHz的开关频率范围内稳定工作，确保系统在轻载和满载条件下均保持高效率。同时，其良好的热性能使其能够在有限通风或自然散热的环境下长期运行，满足无风扇设计的需求。此外，该器件还可用于光伏微逆变器、电机控制中的辅助电源以及智能电表等对可靠性要求较高的工业电子设备中，为系统提供稳定可靠的功率开关解决方案。

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