类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　功耗（Pd）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.2Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1100pF
　　输出电容（Coss）：约350pF
　　反向恢复时间（trr）：约45ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

5N65K MOSFET在高压功率开关应用中表现出卓越的综合性能，其核心优势之一是高达650V的漏源击穿电压，使其能够安全地工作于主流离线式开关电源电路中，例如反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构。该电压额定值不仅满足全球通用交流输入电压（如85VAC至265VAC）经整流后的直流母线电压需求，还能提供足够的安全裕度以应对瞬态浪涌和电压尖峰，从而提升系统稳定性。该器件的导通电阻在典型工作条件下约为1.2Ω，虽然相较于现代超结MOSFET略高，但在同级别产品中仍具备良好的能效表现，尤其适合中等功率等级的应用场景。低Rds(on)有助于减少导通损耗，降低温升，提高整体电源效率。
　　该MOSFET采用成熟的平面硅技术制造，具备良好的热稳定性和长期可靠性。其最大连续漏极电流可达5A（在25°C环境温度下），并在短时间内支持高达20A的脉冲电流，适用于负载波动较大的动态工作条件。器件的栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保在标准逻辑电平驱动下可靠开启，同时避免因噪声干扰导致误触发。输入电容和输出电容分别约为1100pF和350pF，使得其在几十kHz到数百kHz的开关频率范围内具有良好的驱动兼容性，可与常见的PWM控制器配合使用。
　　5N65K内置体二极管，具备一定的反向恢复能力，其反向恢复时间约为45ns，虽不及快恢复二极管或碳化硅器件，但在多数非谐振拓扑中仍可接受。此外，该器件具有较强的抗雪崩能量承受能力，能够在异常关断或感性负载突变时吸收一定能量而不损坏，提高了系统的鲁棒性。TO-220封装提供了良好的机械强度和散热性能，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力。整体而言，5N65K在成本、性能与可靠性之间取得了良好平衡，是一款成熟可靠的高压功率开关器件。

5N65K广泛应用于各类中低功率开关模式电源系统中，特别是在交流-直流（AC-DC）转换器中作为主开关管使用。其650V的高耐压特性使其非常适合用于宽电压输入的离线式电源设计，例如手机充电器、笔记本电脑适配器、电视机和显示器电源模块等消费电子产品。在这些应用中，5N65K通常被配置在反激式拓扑结构中，负责将整流后的高压直流电通过高频开关传递到变压器初级侧，实现电压变换与能量传输。由于其具备良好的开关特性和合理的导通损耗，能够在保证效率的同时控制发热，满足能源之星等能效标准要求。
　　此外，5N65K也常见于直流-直流（DC-DC）变换器中，尤其是在升压（Boost）或半桥拓扑中作为功率开关元件，用于工业控制设备、通信电源模块和LED恒流驱动电源。在LED照明驱动领域，该器件可用于隔离型或非隔离型驱动方案，提供稳定的电流输出并实现调光功能。其较高的开关速度和可控的栅极电荷特性有助于减少开关损耗，提升系统效率。
　　在电机控制方面，5N65K可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现方向切换与速度调节。尽管其电流承载能力有限，但在轻载或间歇工作模式下仍具备实用性。同时，该器件也被用于光伏微逆变器、不间断电源（UPS）和电池管理系统中的功率切换环节，承担能量通断与保护功能。由于其TO-220封装易于安装和维护，特别适合中小批量生产和维修替换场景。总的来说，5N65K凭借其高耐压、稳定性能和经济性，在多种电力电子系统中发挥着关键作用。

KSE5N65K
　　FQPF5N65C
　　STP5NK65ZFP
　　APT5N65BLL