类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：650V
　　漏极电流（Id）：5A @ 25°C
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：3V ~ 5V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：100pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：—
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252 (D-Pak)
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：1
　　技术：MOSFET
　　连续漏极电流（Id）：4.5A @ 100°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　最大结温（Tj）：150°C

5N65G-TM3-R的核心特性在于其高电压耐受能力和优异的开关性能。该MOSFET采用ON Semiconductor成熟的高压超结（Super Junction）技术，显著降低了导通电阻与栅极电荷之间的乘积（Rds(on) × Qg），从而在高电压条件下仍能保持较低的导通损耗和开关损耗。这对于提升电源系统的整体能效至关重要，尤其是在轻载和满载工况下均需维持高效率的应用场景中。其2.2Ω的典型导通电阻在650V级别的MOSFET中属于较优水平，能够有效减少功率损耗并降低温升，延长系统寿命。
　　该器件具备出色的热稳定性，得益于其TO-252封装结构提供的良好热传导路径，热量可以从芯片通过焊盘快速传递至PCB，实现高效散热。这种设计使得5N65G-TM3-R在有限空间内也能稳定工作，特别适用于对体积敏感的消费类电子产品和工业电源模块。此外，其栅极氧化层经过特殊工艺处理，增强了抗静电能力（ESD）和长期可靠性，避免因瞬态过压导致的早期失效问题。
　　5N65G-TM3-R还具备较强的抗雪崩能量能力，能够在意外电压突变或感性负载切换过程中吸收一定的能量而不损坏。这一特性使其在电机驱动、电磁阀控制等存在反电动势的应用中更具鲁棒性。同时，其快速的开关速度减少了交叉导通时间，有助于降低电磁干扰（EMI），简化滤波电路设计。配合适当的驱动电路，可实现数十kHz至数百kHz范围内的高频开关操作，满足现代开关电源对小型化和高功率密度的需求。
　　此外，该MOSFET的参数一致性高，批次间差异小，有利于大规模量产中的品质控制。其±30V的宽栅源电压范围提供了更大的驱动灵活性，兼容多种常见的驱动IC输出电平。总体而言，5N65G-TM3-R凭借其高性能、高可靠性和易于集成的特点，成为中高端电源设计中的关键元件之一。

5N65G-TM3-R广泛应用于各类中等功率的电力电子设备中，尤其适用于需要将交流电转换为直流电的离线式开关电源（SMPS）。在AC-DC适配器、充电器（如笔记本电脑、手机快充）、工业电源模块等领域，该器件常被用作主开关管或辅助开关管，承担能量传递和电压调节的关键任务。由于其650V的高击穿电压，能够应对市电整流后的高压母线（约380V–400V），因此非常适合用于单端反激（Flyback）、正激（Forward）等拓扑结构的电源设计。
　　在LED照明驱动电源中，5N65G-TM3-R也发挥着重要作用。无论是室内LED灯具还是户外路灯系统，都需要高效稳定的恒流驱动电源，而该MOSFET的低导通损耗和快速响应能力有助于提升驱动器的整体效率和调光性能。特别是在PFC（功率因数校正）电路中，它可以作为升压开关管使用，帮助提高输入端的功率因数，减少谐波污染，满足能源标准（如Energy Star、ERP Lot 6）的要求。
　　此外，该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源、小型太阳能微逆变器以及家电中的电机控制电路。例如，在空调、洗衣机等变频家电中，5N65G-TM3-R可用于实现DC-AC逆变或DC-DC变换功能，支持精确的转速控制和节能运行。其表面贴装封装形式也便于自动化生产，适用于追求高一致性和低成本的大批量制造场景。

STP5NK60ZFP
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